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高电子迁移率晶体管(HEMT)简介

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简介:
高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种高性能场效应晶体管,利用异质结结构显著提高电子迁移率,广泛应用于射频、微波领域及高速开关和放大电路。 高电子迁移率晶体管的基础知识可以帮助化合物半导体的初学者了解这种新型器件。

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  • (HEMT)
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    高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种高性能场效应晶体管,利用异质结结构显著提高电子迁移率,广泛应用于射频、微波领域及高速开关和放大电路。 高电子迁移率晶体管的基础知识可以帮助化合物半导体的初学者了解这种新型器件。
  • 载流
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  • 关于UCC28019的因数
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    本简介探讨了基于UCC28019控制器设计的高效能、高功率因数电源方案,适用于高性能电子设备。通过优化电路设计,实现了能源效率和成本效益的最佳平衡。 传统的AC/DC变换通常采用二极管全桥整流,并在输出端连接大容量电容滤波器。这种方式会导致交流电源输入电流中含有大量谐波,对电网造成严重危害。不仅会使电网电压发生畸变,还会浪费大量的电能。 随着“绿色化”概念的提出,功率因数校正技术得到了广泛应用。功率因数校正是指通过电路设计使交流电源输入电流呈现为正弦波,并与输入电压保持同相位。UCC28019是德州仪器公司推出的一款用于功率因数校正的新芯片。它采用平均电流模式对功率因数值进行调节,使得输入电流的跟踪误差产生的畸变小于1%,从而实现接近于1的理想功率因数值。 本段落将详细介绍UCC28019的工作原理及其内部结构,并在此基础上设计一种具有高功率因数特性的电源设备。