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半导体生产中使用的光刻机照明系统

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简介:
本研究聚焦于半导体制造过程中至关重要的光刻技术,特别探讨了用于微纳加工的先进照明系统的设计与优化。 目录:1. 光刻机的结构(一)2. 光刻机的结构(二)3. 照明系统的功能及结构4. 照明系统的六大特点5. 光源类型6. 光线收集系统7. 快门单元(一)8. 快门单元(二)9. 滤波器(一)10. 滤波器(二)11. Sigma切换单元12. 光束稳定器13. 图像移位器14. 光学混合器15. 第一聚光变焦镜头16. 第二聚光透镜去极化板17. 去极化板

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    本研究聚焦于半导体制造过程中至关重要的光刻技术,特别探讨了用于微纳加工的先进照明系统的设计与优化。 目录:1. 光刻机的结构(一)2. 光刻机的结构(二)3. 照明系统的功能及结构4. 照明系统的六大特点5. 光源类型6. 光线收集系统7. 快门单元(一)8. 快门单元(二)9. 滤波器(一)10. 滤波器(二)11. Sigma切换单元12. 光束稳定器13. 图像移位器14. 光学混合器15. 第一聚光变焦镜头16. 第二聚光透镜去极化板17. 去极化板
  • 业报告:回顾ASML成长历程
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    本报告详细回顾了全球领先的半导体设备制造商ASML的成长历程,分析其在光刻技术领域的突破与创新,探讨公司在行业内的主导地位及未来发展前景。 14nm及以下的先进制程在应用上越来越广泛,并且持续进步。光刻、蚀刻以及沉积设备成为了投资的重点领域。晶体管线宽小于28nm的工艺被称为先进制程,目前台积电与三星是领先的晶圆厂,它们能够将最先进工艺推进到5nm级别。其中,台积电作为全球最大的晶圆代工厂,其在全球代工市场的份额达到了50.5%;在2019年中,该公司28nm以下制程的收入占比达到67%,而16nm及更小制程(与三星、中芯国际的14nm处于同一竞争序列)贡献了总收入的一半。由于高压驱动器、图像传感器和射频等应用需求的增长,根据IHS Markit的数据预测,28纳米制程集成电路晶圆代工市场将保持稳定增长态势,并预计到2024年全球市场规模将达到98亿美元。
  • 技术
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    半导体生产技术是指用于制造半导体器件和集成电路的一系列工艺流程和技术方法,涵盖材料制备、晶圆加工、光刻、蚀刻等多个环节。 《半导体制造技术》一书详细回顾了半导体发展的历史,并融入了当今最新的技术资料。该书在学术界和工业界的评价都很高。全书共分20章,根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节内容,包括与半导体制造相关的基础技术信息;总体流程图的工艺模型概况,通过流程图将硅片制造的主要领域连接起来;具体讲解每一个主要工艺;集成电路装配和封装的后部工艺概述。此外,各章还提供了关于质量测量和故障排除的问题,这些都是在实际硅片制造过程中会遇到的实际问题。
  • 过程流程
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    简介:半导体生产的流程包括晶圆制造、光刻、蚀刻、离子注入和金属化等步骤,最终形成集成电路。每一步都要求极高的精度和技术水平。 微机电制作技术,特别是基于硅半导体的微细加工技术(silicon-based micromachining),其起源与半导体组件的制程技术密切相关。因此,在探讨这类工艺之前,有必要先对这些基础的技术进行介绍,以免出现因缺乏背景知识而产生的理解障碍。
  • 工艺流程
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    半导体生产工艺流程涵盖了晶圆制造、光刻、蚀刻、离子注入、薄膜沉积、金属化及封装测试等关键步骤,是实现芯片功能的核心过程。 半导体制造工艺流程是现代电子科技的核心组成部分,涉及众多复杂的步骤和技术,它是集成电路设计与生产的关键环节。这个过程将纯净的硅材料转化为复杂微电子器件,如晶体管、电阻、电容等,并构建出各种功能丰富的芯片。 以下是详细的半导体制造工艺流程: 1. **硅晶圆准备**:从高纯度多晶硅中拉制单晶硅棒,然后切割成薄片,这些薄片即为硅晶圆。 2. **晶圆清洗**:在进行后续步骤前需彻底清洁硅晶圆表面的杂质和颗粒,以确保工艺精度。 3. **氧化**:将硅置于高温环境中使其与氧气反应形成二氧化硅层。此层作为绝缘或保护用途使用。 4. **光刻**:通过曝光特定波长光线使光刻胶发生化学变化,并利用显影液清除未曝光部分,从而在晶圆上转移电路图案。 5. **蚀刻**:将经过光刻处理后的晶圆放入蚀刻机中,采用化学气体或等离子体技术去除暴露的硅或其他材料,形成所需的电路结构。 6. **掺杂**:通过离子注入或扩散工艺向硅片内部引入杂质原子以改变其导电性。此步骤用于生成P型和N型半导体区域。 7. **金属化**:在晶圆上沉积铝或铜等金属层,用作连接各个半导体元件的电路网络基础。 8. **互连**:使用多层布线及通孔技术实现不同层次间的电路连接。 9. **化学机械抛光(CMP)**:通过化学品和物理摩擦手段平整化晶圆表面,确保各层之间的精确对准。 10. **测试与切割**:完成所有步骤后需对每个芯片进行电气性能的检测。合格的产品将被切分出来。 11. **封装**:切割下来的单个芯片会被安置在塑料或陶瓷外壳内,并连接外部引脚以供与其他电子元件交互使用。 12. **最终测试**:封装后的芯片再次接受严格的性能和可靠性验证,确保其符合设计规范要求。 半导体制造工艺流程涵盖了物理、化学及光学等多个学科的知识体系,是一项高度集成且精密的技术。随着科技的进步,该领域不断引入如FinFET技术或3D堆叠等创新方法来进一步提升芯片的效能与集成度。对于有兴趣深入了解和学习这一领域的读者来说,上述内容提供了宝贵的见解。
  • 微电子品术语英文对
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    《半导体微电子产品术语中英文对照》是一本实用工具书,收录了大量半导体及微电子领域的专业词汇及其准确的中英文对照解释,适用于相关专业的学习者和从业者。 本段落介绍了半导体微电子专业词汇的中英文对照表,涵盖了加速实验、受主、受主原子、积累、堆积、积累接触、积累区、积累层、声表面波、有源区以及有源元等术语。
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    本资料详细介绍了半导体制造中使用的各种类型光刻胶,包括正性、负性及其它特种光刻胶,并深入分析了它们各自的特性和应用。 本段落档以PPT形式详细介绍了半导体行业中关键组成部分——光刻胶的行业情况、分类及其工艺效果。
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    本报告深入分析了中国功率半导体行业的现状与发展趋势,探讨了国产化进程中企业的挑战与机遇,展示了行业稳健前行的步伐。 半导体产业系列研究:长风破浪,功率半导体国产化之路稳中求进.pdf 该文档深入探讨了中国半导体产业发展现状及未来趋势,特别聚焦于功率半导体领域的国产化进程。报告分析了当前面临的机遇与挑战,并提出了推动行业稳步前进的策略建议。
  • 退火在
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    激光退火技术是一种利用高能量密度激光束对半导体材料进行局部加热处理的技术,广泛应用于改善薄膜晶体管性能、制造高性能集成电路及新型电子器件等领域。 尽管对半导体元件的激光退火进行了深入的研究,但目前尚未将其应用到任何生产线中。然而,这项技术已经促使了器件样机的研发,并且人们对其基础物理学有了更深刻的理解。进一步的发展可能会开辟新的制造半导体的方法,利用激光退火来消除在掺杂和晶体生长过程中产生的缺陷。
  • 核心技术创新研究
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    《半导体照明核心技术创新研究》一书聚焦于LED照明技术的最新进展与挑战,深入探讨了材料科学、器件设计及系统集成等领域的创新成果。 基于GaN的功率型发光二极管作为半导体照明光源展现出了广阔的应用前景,但其流明效率与公认的200 lm/W的目标相比仍有提升空间。本段落从材料外延、芯片制作、器件封装及系统应用等角度概述了半导体照明关键技术的最新进展,并特别提及清华大学集成光电子学国家重点实验室的研究成果。同时,文章还展望了未来研究的方向。