俞国庆-关于SiP在集成电路先进封装中的发展趋势.pdf

简介：
本PDF报告由俞国庆撰写，探讨了系统级封装（SiP）技术在集成电路先进封装领域的发展趋势，分析了其关键技术及市场应用前景。 摩尔定律作为半导体工业的基石，其核心观点是随着集成电路中的晶体管数量增加，芯片性能也会成倍提升。然而，在工艺技术不断进步的同时，制造过程中遇到的技术与经济挑战也日益增多。本段落将聚焦于先进封装SiP（System in Package）技术的发展趋势，并探讨在摩尔定律面临瓶颈时可能采取的策略。 通富微电是全球领先的封测服务供应商之一，成立于1997年并在2007年在深圳上市，在2017年的全球封测企业排名中位列第六。公司提供从传统到先进的一站式封装测试服务，并拥有六个生产基地和超过一万名员工。其提供的技术不仅涵盖了传统的Bumping、WLCSP、BGAs等，还包括先进的FCBGA、FCLGA及Coreless BGAs等多种高端包装技术。通富微电在系统级封装（SiP）领域也取得了重大突破，推出了包括2.5D封装和Fan-out WLCSP在内的先进技术。 随着摩尔定律遇到物理和技术的限制，半导体行业需要寻找新的解决方案来提升性能。传统的SoC集成度提高策略已无法满足需求，特别是在制程工艺达到5纳米以下时，量子效应和光刻精度问题导致了芯片性价比下降。因此，系统级封装（SiP）技术成为了一种替代方案。通过将多个组件如逻辑器件、模拟射频设备等整合在一个封装内，SiP可以在降低成本的同时实现更高程度的功能集成。 通富微电在其先进封装技术研发路线图中强调了2.5D封装和Fan-out WLCSP的重要性。2.5D技术允许在硅中介层上将多个芯片（包括逻辑芯片与存储器）高密度地连接在一起，而Fan-out WLCSP则通过扩展布线区域来增加输入输出数量，适用于高速或大功率的应用场景。 然而，在SiP发展过程中也存在一些挑战。例如，信号传输距离的延长会导致功耗上升和性能下降，并且基板布局限制可能会影响封装尺寸。为解决这些问题，技术开发正朝着更精细的方向前进，如Chiplets设计及混合式SiP概念等方法被提出以提高密度、减少能耗并优化性能。 综上所述，在摩尔定律遇到瓶颈的情况下，集成电路先进封装SiP技术的发展显得尤为重要。通过集成多种组件实现更加紧凑和高效的电子系统是未来发展的主要方向之一。通富微电在此领域的进展为整个行业提供了宝贵的参考，并展示了应对物理及经济限制的有效途径。