英飞凌BSS138W芯片中文规格书.pdf
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简介：
本资料为《英飞凌BSS138W芯片中文规格书》，详尽介绍了该功率MOSFET器件的技术参数、电气特性及应用指南，适用于工程师和技术人员参考。
**英飞凌BSS138W芯片概述**
BSS138W是英飞凌公司生产的一款N沟道增强型小信号晶体管，属于SIPMOS系列。该器件适用于逻辑电平操作，并具备优良的dvdt耐受能力，同时符合RoHS标准，不含铅。
**主要特性**
- **N沟道**: 表示在栅极和源极之间施加正电压时导通，在零或负电压下截止。
- **增强模式**: 晶体管仅在栅极电压高于源极电压的情况下导通，并且不导通状态下漏电流非常低。
- **逻辑电平兼容性**：适合与标准逻辑电路配合使用，具有适中的栅极阈值电压，允许普通逻辑信号驱动晶体管。
- **dvdt耐受能力**: 能够承受高速开关操作中快速的电压变化，并对高didt脉冲提供良好的保护。
- **无卤素**: 符合IEC61249-2-21标准，不含卤化物成分，具有环保性质且降低了潜在腐蚀风险。
**最大额定值**
- **连续漏极电流**(I_DT): 在环境温度为25°C时为0.28A，在70°C时降至0.22A。
- **脉冲漏极电流**(I_D,pulse): 于室温下可达到1.12A，但不应超过器件的最大功率耗散限制。
- **反向二极管dvdt**: 在特定条件下能够承受6kVµs的电压变化率。
- **栅源电压**（V_GS）: 最大值为±20V。
- **总电源耗散**(P_tot): 环境温度在25°C时不超过0.5W。
- **工作和存储温度范围**: -55°C至150°C，符合IEC气候类别要求。
**封装与标识**
BSS138W采用PG-SOT-323封装形式，每卷提供3000或10,000个器件，并配有相应的包装标记H6327和H6433。
**热特性**
- **结温到环境温度的最小热阻**(R_thJA): 为250KW，表示从芯片内部至外部空气的热量传递效率。
**电气特性**
1. **漏源击穿电压**: 在V_GS=0V和I_D=250µA条件下，最低值达到60V。
2. **栅极阈值电压**(V_GS(th)): 当V_GS等于V_DS且电流为26µA时，其范围在0.6至1.4伏特之间。
3. **漏源截止电流**: 在施加了60V的漏-源压降和零栅-源偏置电压下，最大值分别为0.1微安（环境温度25°C）与5微安（最高工作温度150°C）。
4. **栅极泄漏电流**(I_GSS): 当电压为20伏特且V_DS=0时，其峰值不超过110纳安。
**动态特性**
- **输入电容(C_iss)**: 在零至源漏压降范围内变化，范围是324pF到343pF。
- **输出电容**(C_oss): 范围在7.2pF和10pF之间。
- **反向转移电容**(Crss): 介于2.8至4.2皮法拉（PF）之间。
- **开通延迟时间**（t_d(on)）: 变化范围为2.2ns到3.3ns。
- **上升时间(t_r)**: 范围是3ns到4.5ns。
BSS138W是一款专为低功耗、高速开关应用设计的高性能晶体管，具有出色的热管理和高切换速度，并且能够适应严苛的工作环境。它广泛应用于逻辑门驱动器、电源管理电路以及信号切换等领域。
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