基于自相干叠栅条纹的光刻机定位技术

简介：
本研究提出了一种创新性的基于自相干叠栅条纹的光刻机定位技术，通过高精度测量实现纳米级制造过程中的精密对位。该方法具有非接触、高速度和高分辨率的特点，有效提升了微纳加工的精度与效率，在半导体及光学器件制造领域展现出广泛应用前景。 随着光刻技术向10纳米及以下工艺节点的发展，对套刻精度的要求越来越高，相应的对准精度也需要达到亚纳米级别。为此提出了一种基于自相干叠栅条纹的光刻机对准方法。该方法利用位相型光栅对准标记和光学结构将同级次衍射光束分束并转像，在成像系统中形成两组不同周期的干涉条纹，这两组条纹进一步相互叠加后形成自相干叠栅条纹。随着对准标记移动时，组成这些叠栅的两条纹分别向相反方向移动，并放大了位移量，从而提高了位置测量精度。通过对这种自相干叠栅条纹图像进行傅里叶变换和相位提取分析其相位信息来获得精确的位置数据。仿真结果显示该方法可实现0.07纳米对准精度以及0.11纳米的重复精度。