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深度解析晶圆BUMP加工工艺及原理

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简介:
本文章深入探讨了晶圆BUMP加工技术及其背后的科学原理。它详细介绍了该工艺流程、相关材料以及其在半导体制造中的重要性。 随着现代电子设备对小型化、轻量化、高性能化、多功能化、低功耗及低成本的要求日益提高,IC芯片的尺寸不断缩小,集成规模迅速扩大,推动了封装技术的革新。其中,凸点加工工艺(Bumpprocessflow)随之发展起来。 BUMPPROCESS分为三种:BOPCOA、BOAC和HOTROD。它们各自的优缺点如下表所示。(此处省略具体表格内容) 对于对芯片尺寸要求不那么严格的大多数产品来说,通常采用QFN封装形式的芯片,因为这种封装具有良好的可测性和散热性能;而对于如耳机或手机等小型化产品的芯片,则大多采用WSCP(wafer scale chip package)封装。同一种功能的IC可以根据需求加工成不同的封装形式,在Bump和Asse阶段进行相应的调整以适应不同应用的需求。(此处省略具体表格内容及技术细节描述)。

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  • BUMP
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    本文章深入探讨了晶圆BUMP加工技术及其背后的科学原理。它详细介绍了该工艺流程、相关材料以及其在半导体制造中的重要性。 随着现代电子设备对小型化、轻量化、高性能化、多功能化、低功耗及低成本的要求日益提高,IC芯片的尺寸不断缩小,集成规模迅速扩大,推动了封装技术的革新。其中,凸点加工工艺(Bumpprocessflow)随之发展起来。 BUMPPROCESS分为三种:BOPCOA、BOAC和HOTROD。它们各自的优缺点如下表所示。(此处省略具体表格内容) 对于对芯片尺寸要求不那么严格的大多数产品来说,通常采用QFN封装形式的芯片,因为这种封装具有良好的可测性和散热性能;而对于如耳机或手机等小型化产品的芯片,则大多采用WSCP(wafer scale chip package)封装。同一种功能的IC可以根据需求加工成不同的封装形式,在Bump和Asse阶段进行相应的调整以适应不同应用的需求。(此处省略具体表格内容及技术细节描述)。
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    本文深入解析了可控硅(即晶闸管)的工作原理及结构,并通过原理图详细展示了其在电路中的应用方式和控制机制。适合电子工程爱好者和技术人员参考学习。 可控硅(晶闸管)的工作原理如下:其阳极A与阴极K连接到电源和负载上,构成主电路;门极G则通过控制装置与阴极K相连,形成控制电路。 从内部结构分析,可控硅是一个四层三端器件,包含J1、J2、J3三个PN结。可以将其中间的NP分成两部分,从而构成一个PNP型和一个NPN型晶体管的复合体。 当施加正向阳极电压时,为了使可控硅导通,必须让反向连接于阴极K与门极G之间的PN结J2失去阻挡作用。图中所示的两个互补晶体管,其集电极电流同时充当另一个晶体管的基极电流,在有足够的门极驱动电流Ig的情况下,会产生强烈的正反馈效应,导致两组晶体管进入饱和导通状态。 假设PNP型和NPN型晶体管的集电极电流分别为Ic1、Ic2;发射极电流为Ia(对应阳极端)与Ik(阴极端),相应的放大系数为a1= Ic1/Ia 和 a2 = Ic2/ Ik。若流过J2结的反向漏泄电流记作Ic0,那么可控硅的总阳极电流等于两晶体管集电极电流加上该漏泄电流:即 Ia = Ic1 + Ic2 + Ic0 或者用放大系数表示为 Ia = a1 * (Ik - Ig) + a2 * Ik +Ic0。 同时,阴极端的总电流Ik等于阳极端的总电流Ia加上门极驱动电流:即 Ik=Ia+Ig。这样就得到了可控硅导通时各关键节点上的关系式描述。