《TSMC180工艺下的折叠式共源共栅放大器设计与仿真手册》

简介：
本手册详细介绍了在TSMC 180nm工艺下设计和仿真相位误差低、稳定性高的折叠式共源共栅放大器的过程，适用于RFIC设计工程师。 《基于TSMC180工艺的折叠式共源共栅放大器：设计与仿真手册》涵盖了折叠式共源共栅放大器的设计细节以及相关的电路版图文档，具体参数如下： - 工艺技术: TSMC 180纳米 - 低频增益 (AOL): 73 dB - 增益带宽积 (GBW): 7 MHz - 相位裕度：65° - 共模抑制比（CMRR）：-125dB 该手册包含以下内容： 1. **详细设计PDF文档**，共29页。其中包含了电路的设计原理、根据指标计算的参数值、每一路电流和每个晶体管尺寸的具体信息。 2. **工程文件**，包括完整的电路设计和测试平台（testbench），可以直接用于仿真。 该手册主要针对双端输入单端输出的运算放大器进行讨论，并详细介绍了折叠式共源共栅运放的设计方法。此外还特别关注于基于CMOS工艺技术下的折叠式共源共栅差分放大器的设计实践，适合使用Cadence工具进行电路设计的专业人士参考。 关键词：cadence电路设计、双输入单输出CMOS运算放大器（amp）、折叠式共源共栅运放设计。