关于米勒平台震荡的理解

简介：
本文探讨了米勒平台在化学反应中的震荡现象，分析其产生的原因和机制，并提供了相关的实验数据及理论解释。 功率器件的开关过程十分复杂，在实际应用中无论是MOS还是IGBT都会遇到震荡现象。一篇相关的研究论文探讨了这个问题，并提出了一些见解，值得阅读。该文总结如下： 1. 在MOSFET的开关过程中，如果栅极电阻较小且发生栅极电压振荡，则很可能是由于源极寄生电感过大引起的。根据公式U=L*di/dt可知，在栅极电阻小、开通速度快（即di/dt大）的情况下，若寄生电感L也较大，则会在该寄生电感上产生更大的电压波动。这种震荡的特点表现为栅极电压有过冲现象，超过米勒平台电压后下降，并在米勒平台上附近出现振荡。 2. 若栅极电阻较大，在栅极电压升至米勒平台之后发生跌落并引发附近的震颤。