Advertisement

【新版可复制文档】JESD22-B108B表贴半导体器件共面性测试.pdf

  •  5星
  •     浏览量: 0
  •     大小:None
  •      文件类型：None

简介：
本PDF文档提供了最新版JESD22-B108B标准的详细内容，用于指导表贴半导体器件的共面性测试方法。文档可复制便于参考和引用。 JESD22-B108B表贴半导体器件的共面性试验.pdf

全部评论 (0)

还没有任何评论哟~
客服
客服
客服关闭
  • 【新版可复制文档】JESD22-B108B表贴半导体器件共面性测试.pdf
    优质
    本PDF文档提供了最新版JESD22-B108B标准的详细内容，用于指导表贴半导体器件的共面性测试方法。文档可复制便于参考和引用。 JESD22-B108B表贴半导体器件的共面性试验.pdf
     
  • JESD22-B108B标准下的表面安装半导体器件共面性测试
    优质
    本研究依据JESD22-B108B标准，探讨表面安装半导体器件的共面性测试方法，分析其对电气性能的影响，并提出改进措施。 本段落介绍了JESD22-B108B标准下的表面安装半导体设备共面性测试方法。该测试旨在测量在室温条件下，表面安装的半导体器件从其端子（包括引线或焊接球）到理想平面位置的最大偏差值。文档详细阐述了此测试的应用范围、所需装置以及相关术语定义。此外，如果需要评估回流焊温度下封装翘曲或共面性的特性，则应参考JESD22-B112标准进行操作。执行该测试的设备必须能够以不超过指定误差10%的精度来测量实际偏差值。
     
  • JEDEC JESD22-B108B：2010 年表面贴装半导体器件共面性测试规范 - 完整英文电子版（11页）
    优质
    本文档为JEDEC标准JESD22-B108B的完整英文版，详述了2010年制定的表面贴装半导体器件共面性测试方法与规范，共11页。 JEDEC JESD22-B108B：2010 规范提供了表面贴装半导体器件的共面性测试方法。此规范旨在测量在室温条件下，这些器件端子（引线或焊球）与基板间的平面度偏差。该测试适用于检查和设备表征的应用场景。如需评估回流焊接温度下的封装翘曲或共面性，则应参考JESD22-B112规范进行操作。
     
  • JESD22-A113E非密封表面贴装器件可靠性测试前的预处理.中文
    优质
    简介：本文介绍了JESD22-A113E标准下非密封表面贴装器件在进行可靠性测试前所需执行的预处理步骤，确保测试结果的有效性和可比性。 JESD22-A113E非密封表贴器件可靠性试验前的预处理。
     
  • JEDEC JESD22可靠性测试标准集合（含38份最新英文电子版文档）.zip
    优质
    本资源包包含JEDEC JESD22的全套可靠性测试标准，共38份最新的英文电子文档。适合半导体行业工程师及研究人员参考使用。 JEDEC JESD22可靠性测试标准集（包含全部38份最新英文电子版标准文件）.zip
     
  • JEDEC JESD22可靠性测试标准集合（含38份最新英文电子版文档）.7z
    优质
    本资源包包含JEDEC JESD22共38份最新的英文电子版文件，全面涵盖了半导体器件环境、封装和电学方面的可靠性测试标准。 JEDEC JESD22可靠性测试标准集（包含全部38份最新英文电子版标准文件）.7z
     
  • 半导体表面及界面物理.pdf
    优质
    《半导体表面及界面物理》一书深入探讨了半导体材料的表面与界面特性，包括电子结构、吸附现象和表面态等关键内容。它是研究纳米技术和器件设计的重要参考文献。 半导体表面与界面物理.pdf
     
  • 半导体器件物理学复习（施敏）.pdf
    优质
    《半导体器件物理学复习（施敏）》是一本基于施敏教授著作的复习资料，内容涵盖PN结、MOS结构等核心理论，并深入探讨了现代半导体器件的工作原理。适合学生和研究人员参考学习。 半导体器件物理总复习涵盖了该课程的主要内容和重点概念。本次复习旨在帮助学生巩固理论知识，并理解各种半导体器件的工作原理及其应用。通过回顾基本的半导体物理学以及PN结、双极型晶体管（BJT）、场效应晶体管（MOSFET）等核心器件，学生们可以更好地掌握相关技术和未来研究的基础。此外，还会讨论一些先进的半导体技术及发展趋势。 本次复习课将全面梳理课程内容，并提供练习题以帮助学生加深理解与记忆。通过这次总结和回顾，希望能使大家对所学知识有一个系统的把握，并为后续深入学习打下坚实基础。
     
  • 半导体器件物理学复习指南.pdf
    优质
    《半导体器件物理学复习指南》是一本全面总结和解析半导体器件物理知识的学习资料，涵盖PN结、MOSFET等核心概念，旨在帮助读者深入理解并掌握相关理论与应用。 《半导体器件物理复习指导纲要》是一份帮助学生理解和掌握半导体器件物理学原理的资料。它涵盖了该领域的关键概念、公式以及重要的理论知识，并提供了一些习题来加深理解。这份文档旨在为学习者在课程复习或考试准备过程中提供支持和指导，是相关专业学生的宝贵资源。