
关于人工神经网络在HEMT器件参数提取中的应用研究
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简介:
本研究探讨了利用人工神经网络技术进行高电子迁移率晶体管(HEMT)器件参数提取的应用。通过构建高效模型,优化了器件性能分析和设计流程,为半导体领域提供了新的方法和技术支持。
本段落研究了利用人工神经网络提取砷化镓高电子迁移率晶体管在不同频带、栅宽下的散射参数与噪声参数的方法。通过构建两个独立的神经网络分别对这两组数据进行训练,我们对比分析了不同隐含层和节点数量的影响,并确定了最优配置:对于散射参数,最佳结构为8-8-6;而对于噪声参数,则是6-4。测试结果表明,在这种双重神经网络架构下,散射参数的平均相对误差降至2.79%,而噪声参数的相应数值则控制在2.05%以内。相较于传统的单一神经网络模型,该方法将平均相对误差降低了31.3%,显示出了更高的精度与可靠性。因此,这一技术特别适合于宽禁带、强非线性特性的射频晶体管参数提取任务。
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