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半导体物理学（张宝林）第三章习题课

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简介：
本课程为《半导体物理学》第三章内容的习题讲解，由张宝林教授主讲。通过具体例题解析，帮助学生深入理解半导体材料特性及其应用原理。 李贤斌 半物习题课第三章 3.1 在硅中导带极小值附近的电子能量可以表示为：式中m2>m1。 (1) 分别画出能量E随着kx和kz变化的示意图。

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  • 半导体物理学（张宝林）第三章习题课
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    本课程为《半导体物理学》第三章内容的习题讲解，由张宝林教授主讲。通过具体例题解析，帮助学生深入理解半导体材料特性及其应用原理。 李贤斌 半物习题课第三章 3.1 在硅中导带极小值附近的电子能量可以表示为：式中m2>m1。 (1) 分别画出能量E随着kx和kz变化的示意图。
     
  • 《半导体物理学(第四版)》习题解析
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    《半导体物理学(第四版)》习题解析是一本专为学习半导体物理的学生编写的辅导书，提供了详尽的解答和深入的分析，帮助读者更好地理解和掌握该领域的核心概念与问题解决技巧。 《半导体物理学（第四版）》的习题解答较为详细，并以PDF格式提供，便于查阅。
     
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    本课件为《半导体物理》课程中第六章“p-n结”的教学材料，内容涵盖p-n结的基本原理、形成机制、特性分析及应用等方面，旨在帮助学生深入理解这一核心概念。 半导体物理课件：第六章 p-n结 本章节主要讲解p-n结的基本概念、形成原理及其性质等内容。通过学习该部分内容，学生可以深入了解半导体材料中p型区与n型区接触时形成的特殊结构，并掌握其在电子器件中的应用和重要性。