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基于GaN/InAlGaN且具备双沟道层的高性能新型GaN基HEMT

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简介：
本研究提出了一种创新的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)，通过引入双沟道层结构于GaN/InAlGaN材料体系中，显著提升了器件性能。 本段落报道了具有两个沟道层的GaN/InAlGaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）的潜在影响。通过二维和双载流子器件仿真技术，我们研究了该器件性能，并重点关注电势、电子浓度、击穿电压以及跨导（gm）。同时，我们将结果与传统的AlGaN/GaN HEMT结构进行了对比分析。我们的仿真结果显示，所提出的新型结构能够增加电子浓度、提高击穿电压和跨导值，并且有效减少泄漏电流。此外，在InAlGaN材料中优化铝的摩尔分数以进一步提升器件性能至最佳状态。

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  • 基于GaN/InAlGaN且具备双沟道层的高性能新型GaN基HEMT
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    本研究提出了一种创新的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)，通过引入双沟道层结构于GaN/InAlGaN材料体系中，显著提升了器件性能。 本段落报道了具有两个沟道层的GaN/InAlGaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）的潜在影响。通过二维和双载流子器件仿真技术，我们研究了该器件性能，并重点关注电势、电子浓度、击穿电压以及跨导（gm）。同时，我们将结果与传统的AlGaN/GaN HEMT结构进行了对比分析。我们的仿真结果显示，所提出的新型结构能够增加电子浓度、提高击穿电压和跨导值，并且有效减少泄漏电流。此外，在InAlGaN材料中优化铝的摩尔分数以进一步提升器件性能至最佳状态。
     
  • AlGaN/GaN HEMT-Silvaco代码
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    本项目为基于Silvaco软件开发的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）仿真模型与设计代码，适用于器件性能优化及研究。 关于AlGaN/GaN HEMT器件的Silvaco仿真代码的相关内容可以进行讨论和分享。如果有兴趣了解或探讨相关的技术细节、应用案例或者遇到的具体问题，欢迎交流。不过，请注意在提问时尽量提供具体的问题描述以及已尝试的方法，以便更有效地获得帮助。
     
  • AlGaN/GaN HEMT-Silvaco代码
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    这段简介可以描述为：“AlGaN/GaN HEMT-Silvaco 代码”是一个用于模拟和设计高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的Silvaco工具集。该代码帮助科研人员优化器件性能，缩短研发周期。 关于AlGaN/GaN HEMT器件的Silvaco仿真代码的相关内容进行了讨论。
     
  • 基于双通道GAN的高光谱图像分类方法
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    本研究提出了一种基于双通道生成对抗网络（GAN）的高光谱图像分类方法，通过结合光谱和空间信息提高分类精度。 高光谱图像分类是高光谱遥感图像处理中的基础研究领域，其主要目标是利用高光谱遥感图像的光谱信息和空间信息将每个像元归类到不同的地物类别中。这项技术被广泛应用于环境监测、矿产勘探以及军事目标识别等多个重要领域。然而，由于高光谱数据具有高度维数特性，并且波段间存在较强的相关性及复杂的光谱混合现象，这使得在进行图像分类时面临诸多挑战。因此，随着研究的深入发展，越来越多的研究人员开始关注这一问题并致力于解决其中的技术难题。
     
  • 基于GaN HEMT Doherty的宽带功率放大器——程知群
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    程知群专注于研究基于GaN HEMT技术的Doherty宽带功率放大器，致力于提升无线通信系统的效率与性能。 本段落探讨了宽带Doherty功率放大器设计的相关问题，并提出了一种新型负载调制网络以拓宽其带宽。采用CREESemiconductor公司的GaNHEMT功放管CGH40010F，应用该新方案设计并制造了一款宽带Doherty功率放大器进行了测试。主放大器在AB类工作状态下，直流偏置为Vds=28V和Vgs=-2.7V；辅助放大器则在C类下运行，其直流偏置设定为Vds=28V,Vgs=-5.5V。 实验结果显示，在1.5到2.3GHz的频段范围内（带宽达800MHz），该新型宽带Doherty功率放大器展示了良好的性能：饱和输出功率范围在42.66至44.39dBm之间，效率则介于52%和66%，当回退到6dB时，效率保持在46%-50%。此外，其相对带宽达到了42.1％且增益平坦。这些测试结果验证了该设计方案的可行性。 关键词：Doherty功率放大器；宽带；负载调制网络
     
  • 基于GaN的高光效Micro-LED仿真模型研究.docx
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    本文档探讨了以氮化镓(GaN)为基础材料的微发光二极管(Micro-LED)的设计与优化，并建立了相应的高光效仿真模型，旨在提升Micro-LED器件的性能。 高光效GaN基Micro-LED仿真模型研究.docx 该文档探讨了基于GaN材料的微发光二极管（Micro-LED）在高光效率方面的仿真建模工作，旨在通过优化设计提高其性能。
     
  • Keras_TP-GAN：基于TensorFlow的TP-GAN非官方Keras实现-源码
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    Keras_TP-GAN是基于TensorFlow的一个非官方库，实现了TP-GAN算法。该项目提供了简洁易用的Keras接口来访问和扩展该模型的源代码。 Keras_TP-GANTP-GAN是基于非官方的Keras（使用Tensorflow）对“超越面部旋转：用于真实感和身份保留正面视图合成的全局和局部感知GAN”的重新实现。“原论文”作者为Huang R，Zhang S.，Li T. 和 He R. (2017)。该代码主要参考了作者官方纯Tensorflow版本进行开发。 目前的结果在概括性上不如原始研究中的结果。如果您对此实现有任何评论或建议，请通过电子邮件与我联系，我很乐意共同探讨和改进。 输入综合的GT 这4张图像的主题包含在训练数据集中，但照明条件有所不同。 使用的库及环境： - Python：3.6.3 - Tensorflow：1.5.0 - Keras: 2.1.3 - GPU：GeForce GTX 1080 Ti（单个）
     
  • SCADA-GAN-Synthetic-Generation: 基于GAN的SCADA数据集合成方法
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  • 针对GaN HEMT的80nm非对称T型栅极的纳米制造技术
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    本研究专注于开发一种创新性的80nm非对称T型栅极工艺，专门用于氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），旨在提升器件性能和制造效率。 本段落探讨了基于AlGaN/GaN的高电子迁移率晶体管（HEMT）中的电流崩溃问题，该现象通常由栅极边缘附近表面峰值电场引起，并且在缩小至100nm以下的栅长时，在高频运行中会变得更加严重。为了改善器件性能，我们根据仿真结果提出了一种新的T形栅极配置，它具有不对称臂结构。通过开发3D灰度电子束光刻技术来制造各种形状的非对称T形栅极，证明了这种门配置在技术上的可行性。 实验结果显示，新设计的非对称T形栅极能够有效地减少栅边电场，并降低源漏之间的寄生电容效应。因此，在高频操作条件下实现了更高的性能表现。我们期待将此新型结构应用于基于GaN材料的HEMT器件中，以期实现高击穿电压和高性能频率工作的目标。
     
  • 基于GAN的3D网格模型生成方法
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    本研究提出了一种利用生成对抗网络（GAN）技术来创建高质量、多样化的三维网格模型的方法，有效提升了复杂形状建模的能力。 GAN模型用于生成3D网格模型。