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严格控制前烘的温度和时间 - 第八章光刻与刻蚀工艺PPT课件

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简介:
本章节聚焦于光刻与刻蚀工艺中的关键步骤——前烘过程,详细解析了温度与时间对最终产品质量的影响,并提供了严格的控制标准。 前烘的温度和时间需要严格控制。如果温度过低或时间不足,光刻胶层与硅片表面的黏附性会变差;溶剂含量过高会导致曝光精度下降;而若溶剂浓度太高,则显影液对曝光区和非曝光区光刻胶的选择性降低,影响图形转移效果。相反地,如果前烘温度过高,光刻胶可能会变得过于脆弱导致其与硅片表面的黏附力减弱;过高的烘焙温度还会使光刻胶中的感光剂发生不必要的反应,从而在后续曝光过程中减少光刻胶对光线的敏感度。因此,在进行这一过程时需谨慎地设定合适的前烘条件以保证工艺效果和质量。

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    本章节聚焦于光刻与刻蚀工艺中的关键步骤——前烘过程,详细解析了温度与时间对最终产品质量的影响,并提供了严格的控制标准。 前烘的温度和时间需要严格控制。如果温度过低或时间不足,光刻胶层与硅片表面的黏附性会变差;溶剂含量过高会导致曝光精度下降;而若溶剂浓度太高,则显影液对曝光区和非曝光区光刻胶的选择性降低,影响图形转移效果。相反地,如果前烘温度过高,光刻胶可能会变得过于脆弱导致其与硅片表面的黏附力减弱;过高的烘焙温度还会使光刻胶中的感光剂发生不必要的反应,从而在后续曝光过程中减少光刻胶对光线的敏感度。因此,在进行这一过程时需谨慎地设定合适的前烘条件以保证工艺效果和质量。
  • 底层抗反射涂层(BARC) - PPT
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    本PPT课件专注于半导体制造技术中关键的光刻和刻蚀步骤,重点介绍用于减少光学干涉影响的底层抗反射涂层(BARC)技术。 8.5.2 底层抗反射涂层(BARC) BARC位于衬底与光刻胶之间,由高消光率的材料构成,可以吸收穿过光刻胶层的光线。当光线照射到BARC与光刻胶之间的界面时,少量光线会被反射回光刻胶中,大部分则进入BARC内部。通过调整BARC的厚度,可以使透射光在穿越BARC的过程中形成λ/4(波长四分之一)的光程差。穿过BARC的光线会在衬底表面反射后再次经过BARC层,产生λ/2(半个波长)的相移效果,即180度相位变化。 这种相移与在BARC和光刻胶界面处反射回来的光发生干涉作用,从而减弱或抵消了这些反射光线的能量。如果BARC材料能够有效地匹配入射光线,则只有少量光线会从光刻胶/BARC界面向上反射回光刻胶中,并且这部分被反射回去的光线振幅也会减小,进而降低驻波效应的影响。 采用BARC技术虽然可以有效减少反光问题,但同时也增加了工艺复杂性以及需要额外工序来去除BARC。
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