本PDF文档详尽介绍了DDR4内存的标准规范,依据JEDEC组织制定的技术参数和设计指南,适用于技术开发与研究。
DDR4是双倍数据速率第四代同步动态随机存取内存的简称,由JEDEC固态技术协会制定的一套内存规范标准。该组织发布的官方文档包括JESD79-4B、JESD79-4A和JESD79-4C三个版本,详细阐述了DDR4的技术细节、性能指标以及兼容性要求。
相比前一代的DDR3,DDR4主要改进如下:
1. **更高的频率与带宽**:初始规格为2133 MTs(每秒传输次数),比DDR3的1600 MTs有显著提升,最高可达3200 MTs甚至更高。这提升了系统整体性能,尤其是在处理大量数据时表现更佳。
2. **更低的工作电压**:DDR4的工作电压降至1.2V,相比DDR3的1.5V或1.35V更低,降低了功耗,并有助于节能和散热。
3. **Bank Groups架构**:每个DRAM芯片可以包含多个Bank Group,增强了并发操作能力,提高了内存访问效率。
4. **增加Bank数量**:DDR4内存条的Bank数量从DDR3的8个增至16个,进一步提升了并发处理能力。
5. **On-Die Termination (ODT)**:支持片上终结(On-Die Termination),可以减少信号反射,改善数据传输质量。
6. **命令地址总线的预取位数增加**:DDR4的预取位数从8位增至16位,每个时钟周期可传输更多数据,从而提高内存带宽。
7. **错误校验支持**:DDR4内存支持更高级别的ECC(Error Correction Code)功能,提供更强的数据完整性保护,适合服务器和数据中心应用。
8. **新的引脚定义和物理尺寸**:DDR4内存模块的引脚布局及物理尺寸有所改变,以确保与DDR3互不兼容,避免安装错误。
JESD79-4B、JESD79-4A和JESD79-4C这些文档可能分别代表不同版本或修订的DDR4规范。它们涵盖了技术细节、电气规范、测试方法以及接口定义等内容。对于硬件设计师、系统架构师及内存开发者而言,深入理解这些文档非常重要,有助于设计出符合标准且性能优越的DDR4内存系统。