
关于高压IGBT暂态机理模型的分析(2012年)
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简介:
本文发表于2012年,探讨了高压IGBT器件在电力电子系统中的暂态行为,深入分析了其内部物理机制,并建立了相应的数学模型。
在现有的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)机理模型基础上,将IGBT分为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)两部分进行建模,并提供了参数提取方法。该模型已在Matlab中实现。以FZ600R65KF1型号的IGBT为例,给出了具体模型参数值并完成相关工作。
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