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关于人工耳蜗植入后声音剥夺对听力学效果影响的研究论文

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简介:
本研究探讨了人工耳蜗植入患者中声音剥夺现象对其听力恢复效果的影响,分析其机制并提出改善建议。 人工耳蜗是一种用于替代患有感音神经性听力损失患者的听觉能力的假体设备。多项研究表明,在植入人工耳蜗后,声音剥夺的时间与通过语音感知测试得出的听力改善程度之间存在负相关关系。 我们对在语言剥夺后的成年人进行了研究,评估了不同时间的声音剥夺对手术和听力结果的影响,并探讨其与社会隔离、眩晕或耳鸣的存在以及言语治疗效果之间的关联。这项回顾性研究涵盖了2004年至2014年间,在公立医院接受人工耳蜗植入手术的18岁以上舌后听力障碍患者。 我们比较了两组参与者:A组包括38人(其中男性14名,女性24名),其声音剥夺时间少于十年;B组则由17人组成(其中包括8位男性和9位女性),他们的声音剥夺超过十年。我们的研究没有发现年龄、性别、声音剥夺的时间长度以及手术前后平均纯音测听结果及术前语音感知测试成绩之间的差异。 然而,在人工耳蜗植入术后一年,我们观察到两组之间存在显著的差异:B组的人工耳蜗植入后的语音感知测试得分比A组差。尽管这些相关性不是决定是否进行人工耳蜗手术的关键因素,但它们可以为患者提供关于治疗效果的重要信息。

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    本研究探讨了人工耳蜗植入患者中声音剥夺现象对其听力恢复效果的影响,分析其机制并提出改善建议。 人工耳蜗是一种用于替代患有感音神经性听力损失患者的听觉能力的假体设备。多项研究表明,在植入人工耳蜗后,声音剥夺的时间与通过语音感知测试得出的听力改善程度之间存在负相关关系。 我们对在语言剥夺后的成年人进行了研究,评估了不同时间的声音剥夺对手术和听力结果的影响,并探讨其与社会隔离、眩晕或耳鸣的存在以及言语治疗效果之间的关联。这项回顾性研究涵盖了2004年至2014年间,在公立医院接受人工耳蜗植入手术的18岁以上舌后听力障碍患者。 我们比较了两组参与者:A组包括38人(其中男性14名,女性24名),其声音剥夺时间少于十年;B组则由17人组成(其中包括8位男性和9位女性),他们的声音剥夺超过十年。我们的研究没有发现年龄、性别、声音剥夺的时间长度以及手术前后平均纯音测听结果及术前语音感知测试成绩之间的差异。 然而,在人工耳蜗植入术后一年,我们观察到两组之间存在显著的差异:B组的人工耳蜗植入后的语音感知测试得分比A组差。尽管这些相关性不是决定是否进行人工耳蜗手术的关键因素,但它们可以为患者提供关于治疗效果的重要信息。
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  • 高新技术企业技术成转化率及因素
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    本文深入探讨了我国高新技术企业在技术成果转化为实际生产力过程中的效率问题,并分析了影响这一转化的关键因素。通过研究,旨在为企业提供优化策略和政策建议,以促进技术创新与经济效益的有效结合。 本段落探讨了科技中介机构在技术成果转化中的作用,并分析了我国各省市高新技术企业技术成果转化效率及其影响因素。首先运用DEA-BCC模型对中国27个省市的高新技术企业的技术成果转化效率进行了评估,发现有5个省(包括北京)的技术成果转换处于领先地位。通过T检验方法进一步验证了影响技术转化效率的因素的重要性。研究结果表明,尽管各省市的具体情况有所不同,但科技中介机构是提高技术成果转化效率的关键因素之一。此外,总体来看,技术和新产品开发的成本对技术成果转化的效率影响并不显著。
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    本文探讨了在3.3V NMOS器件制造过程中,不同离子注入和退火工艺条件对热载流子注入效应的影响,分析其物理机制并提出优化方案。 在半导体工艺领域,随着摩尔定律的推动,器件的关键尺寸持续缩小以增强性能并保持集成度。然而,在这种情况下,工作电压通常不会按比例减少,导致了热载流子注入效应(HCI)问题的发生。HCI是指高能量电子或空穴在强电场作用下注入栅极氧化层中引起的退化现象。 张斌在其论文《离子注入和退火对3.3V NMOS热载流子注入效应的影响》中,以90nm工艺为例探讨了该效应的现状与机理,并提出了一种改善方法。研究指出通过优化轻掺杂漏极(LDD)区域中的离子注入及退火条件可以显著提高器件性能。 在微电子学领域,LDD结构用于降低NMOS晶体管中源极和漏极区之间的电场强度以减少热载流子效应的影响。它是一种MOSFET使用的结构,在沟道长度减小时尤为有效。通过引入轻掺杂区域来分散高电场并减少注入到栅氧化层中的载流子,从而降低器件性能的退化。 退火是半导体晶片的一种加热处理过程,可修复加工过程中产生的缺陷、释放应力,并激活掺杂原子。它有助于改善热载流子效应,因为可以移动原子位置以修复晶体缺陷和减少漏极附近高电场对器件的影响。 论文指出横向电场是指与沟道电流方向垂直的分量,在MOSFET中决定着内部载流子运动。强横向电场所导致的高温电子注入到栅氧化层中,产生热载流子效应。因此通过优化工艺参数以减少这种电场强度可以降低热载流子效应。 可靠性是半导体器件设计和制造中的关键问题之一。随着技术的发展,对可靠性的需求也在提高,从T50提升至T0.1标准反映了市场对于质量和寿命的更高要求。针对90nm工艺下3.3V NMOS出现的问题,研究提出了一种改善方法。 在缩小半导体器件尺寸的同时保持性能和集成度不变的过程中,工作电压稳定性问题逐渐显现出来。这导致了长期运行下的退化现象并影响到了可靠性。优化离子注入及退火条件是解决这一问题的重要手段之一。 综上所述,《离子注入和退火对3.3V NMOS热载流子注入效应的影响》研究强调了工艺改进对于提高半导体器件可靠性和性能的重要性,通过改善LDD区域的处理可以有效缓解小型化过程中出现的问题,并提升市场竞争力。
  • 交叉相位调制信号传输.pdf
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    本文探讨了交叉相位调制在光通信系统中的作用机制及其对信号质量的影响,并提出了相应的抑制策略。 交叉相位调制对信号传输的影响研究指出,作为一种常见的光纤非线性效应,交叉相位调制在光信号的光纤传输过程中起着重要作用。本段落基于仿真分析,探讨了这一现象。