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Virtuoso, Calibre, CMOS RF工艺PDK

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简介:
本资源包包含针对Virtuoso平台设计的Calibre验证工具以及适用于CMOS RF工艺的PDK,为集成电路的设计与优化提供全面支持。 本模拟IC设计软件平台基于vmware虚拟机环境构建,该虚拟机配备Linux操作系统、Cadence IC5141仿真设计软件以及Calibre版图验证工具,并集成了CMOS RF工艺PDK。在下载过程中可能会遇到CRC校验错误的问题,因此压缩文件包中包含了恢复记录功能。如果出现此类问题,请使用WinRAR的修复压缩文件选项尝试进行修复后再解压。请注意将压缩包解压至一个剩余磁盘空间大于40GB的分区中。

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客服
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  • Virtuoso, Calibre, CMOS RFPDK
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    本资源包包含针对Virtuoso平台设计的Calibre验证工具以及适用于CMOS RF工艺的PDK,为集成电路的设计与优化提供全面支持。 本模拟IC设计软件平台基于vmware虚拟机环境构建,该虚拟机配备Linux操作系统、Cadence IC5141仿真设计软件以及Calibre版图验证工具,并集成了CMOS RF工艺PDK。在下载过程中可能会遇到CRC校验错误的问题,因此压缩文件包中包含了恢复记录功能。如果出现此类问题,请使用WinRAR的修复压缩文件选项尝试进行修复后再解压。请注意将压缩包解压至一个剩余磁盘空间大于40GB的分区中。
  • ADS采用台积电0.13um CMOS PDK
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    本项目基于台积电0.13微米CMOS工艺设计流程(PDK),进行高性能、低功耗模拟与数字集成电路的设计,旨在优化集成芯片性能。 该工艺包包含ADS使用的PDK文件,采用的是台积电TSMC的0.13um CMOS工艺,旨在为射频集成电路设计人员提供EDA辅助设计支持。
  • 台积电18RFPDK
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    台积电18RF工艺PDK是专为射频(RF)应用设计的一站式解决方案,旨在提供先进的半导体制造技术,支持高性能无线通信设备的研发与生产。 相关的安装方法可以参考我的博客文章。
  • CSMC 0.5微米库,Cadence Virtuoso
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    这是一款用于CSMC 0.5微米工艺设计的Virtuoso平台下的标准单元库,适用于集成电路的设计与仿真。 模拟IC设计CSMC0.5工艺库涉及利用特定的半导体制造技术来开发集成电路。在这一过程中,工程师需要详细理解并应用该工艺库中的参数与规则以确保电路性能最优。这包括但不限于晶体管特性、电源管理以及噪声抑制等关键方面。
  • 台积电Virtuoso库方案
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    台积电Virtuoso工艺库方案是专为集成电路设计打造的一套全面且高效的工具包,支持设计师在台积电先进的制造工艺下实现芯片创新与优化。 在电子设计自动化(EDA)领域,工艺库是芯片设计中的核心元素之一,它包含了特定半导体制造工艺的详细信息。本段落将深入探讨“台积电Virtuoso工艺库”,特别是针对.18微米(um)工艺的特性、用途以及如何进行OpenAccess(OA)转换。 台积电作为全球领先的晶圆代工企业,提供了一系列先进的半导体制造工艺。尽管相较于当前的纳米级工艺而言较为老旧,但.18微米工艺在某些低功耗、低成本或对尺寸要求不那么高的应用中仍然具有价值。Virtuoso是Cadence公司开发的一款高级集成电路设计平台,它为复杂硅片的模拟、混合信号和射频(RF)设计提供了强大支持。 台积电的.18工艺库包含了该工艺的晶体管模型、寄生参数、阈值电压等关键数据,这些都是在使用Virtuoso进行电路设计时不可或缺的信息。这些模型能够帮助设计师精确预测实际制造过程中的电路行为,确保设计可行性和优化性能。 Virtuoso工艺库通常包含以下组件: 1. **晶体管模型**:描述了晶体管的电气特性,如电流-电压(I-V)曲线和开关速度。 2. **寄生参数**:包括电阻、电容和电感等影响信号传播和噪声性能的因素。 3. **工艺变量**:反映了制造过程中的可能变异,有助于设计者考虑容差和可靠性问题。 4. **布局与布线(P&R)信息**:指导设计者如何在芯片上合理安排元件并连接它们以达到最佳性能和面积效率。 OpenAccess(OA)是一种开放标准的数据访问接口,用于EDA工具之间的互操作性。将台积电的.18工艺库转换为OA格式可以使该库能在多种设计环境中使用,并提高设计流程的灵活性。这通常涉及到将库数据从原始格式导入支持OA的工具中,例如Cadence Virtuoso平台。 在实际的设计过程中,设计师需要关注以下方面: - **性能优化**:根据工艺库提供的参数调整电路设计以满足速度、功耗和面积(SPA)的要求。 - **热管理**:老工艺可能对散热有更高要求,因此需要考虑有效的热设计方案来避免过热问题。 - **电源管理**:“.18微米”工艺的漏电流较大,设计师需采取有效措施降低功率消耗并优化低功耗设计策略。 - **兼容性**:确保新设计与现有的“0.18 微米 IP 核和系统级组件”的兼容性。 总而言之,“台积电Virtuoso工艺库”为基于“.18微米”工艺的电路设计提供了坚实的基础,通过OA转换可以在各种设计工具中应用。这不仅提高了工作效率而且确保了准确性。结合现代的设计方法学以及充分理解和利用工艺库信息,工程师可以实现高质量的电路设计。
  • N阱CMOS步骤
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    N阱CMOS工艺是一种集成电路制造技术,通过在P型衬底中形成N型阱来实现不同器件的集成,是现代数字芯片生产的基础流程之一。 N阱CMOS场效应管的制备工艺流程详细介绍了从选择衬底到刻铝的各个步骤的具体细节,适合初学者参考。
  • 035纳米CMOS
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    035纳米CMOS工艺库是一款先进的半导体制造技术资源包,专为设计高效能低功耗集成电路而设,支持大规模集成与高性能计算需求。 Hspice CMOS 35的仿真工艺库。
  • Cadence Virtuoso SMIC 180库 包括标准库、OA库及BCD库 直接应用 带有PDK文件 IC617IC618
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    本资料包提供SMIC 180纳米工艺的Cadence Virtuoso全套设计库,涵盖标准单元、运算放大器和BCD技术模块,附带PDK文件,适用于IC617及IC618版本直接应用。 Cadence virtuoso SMIC 180工艺库包括标准库、OA库和BCD库,可以直接使用,并包含PDK文件。此外还有IC617/IC618工艺文件可供直接导入使用,适合用于学习的标准单库。
  • SMIC 18nm RF-OA版(库)
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    简介:SMIC 18nm RF-OA版工艺库是中芯国际推出的面向射频应用的高度优化物理设计自动化版本,专为实现高性能、低功耗无线通信芯片而打造。 SMIC 18mm RF-OA版(工艺库)可以直接添加导入,无需通过CDB转OA。博主是自学并多方研究整理而成的,请大家给予支持!共同交流进步。
  • CMOS电路的制造
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    CMOS电路的制造工艺是一种用于生产大多数数字集成电路的技术,涉及硅片处理、光刻和掺杂等步骤,以实现低功耗高集成度芯片。 ### CMOS集成电路制造工艺详解 CMOS(互补金属氧化物半导体)集成电路是现代电子产品不可或缺的核心技术之一,在微处理器、存储器及信号处理等领域广泛应用。其制造涉及复杂精细的步骤,包括单项工艺、整体流程以及新技术的应用改进。 #### 一、主要单项工艺 1. **SiO2生长与淀积** - **热氧化层生成**:利用氧气或水蒸气在硅圆片表面形成一层高质量的二氧化硅(SiO2),此层具有良好的电绝缘性能,并且能够很好地附着于硅表面。 - **化学气相沉积(CVD)**:适用于已有氧化层的情况,通过SiH4与O2反应生成SiO2并释放出水蒸气。CVD可以在较低温度下实现均匀的淀积。 2. **多晶硅淀积** - 多晶硅在CMOS工艺中主要用于栅极材料,在二氧化硅上形成有序排列的多晶结构。 - 优点包括通过掺杂增强导电性,与SiO2有良好的接合能力。表面还可以覆盖高熔点金属如钛或铂以降低电阻。 3. **掺杂硅层:n+、p+,离子注入** - 掺杂是将掺杂剂原子加速并注入硅衬底中实现的工艺。通过退火使掺杂剂更好地融入晶体结构中。 4. **金属化:Al淀积** - 铝因其良好的粘附性和低成本成为首选材料。通过蒸发在晶圆上形成铝层,但存在电迁移问题。 5. **氮化硅SiN4淀积** - 氮化硅具有较高的介电常数(约7ε0),是优秀的表面覆盖材料和电气隔离材料。 6. **化学机械抛光(CMP)** - CMP用于去除圆片表面多余材料,实现平整表面以保证后续步骤的精确性。 7. **刻蚀** - 刻蚀通过化学或物理方法去除特定区域的材料形成电路图案。首先用掩模和光刻胶定义结构,然后进行离子注入等处理。 #### 二、N阱CMOS制造流程 1. **起始工序** - 定义活性区后,接着执行沟槽刻蚀与填充操作。 2. **自对准工艺** - 自对准工艺用于形成n型和p型场效应管(FET),通过选择性掩模进行离子注入以实现精确控制。 3. **淀积金属层** - 在完成晶体管结构后,需要沉积金属层以便元件之间的连接。这一步包括压焊块的形成等操作。 #### 三、双阱CMOS制造流程 1. **基材准备** - 使用p型衬底(p+)作为基础材料,并在其上生长一层p型外延层(p-)。 2. **门氧化层与牺牲氮化层沉积** - 在硅圆片表面形成门氧化层和用于缓冲作用的牺牲氮化层。 3. **活性区域刻蚀** - 使用反向图形掩模进行等离子体刻蚀,定义沟槽位置。 4. **沟槽填充与平坦化** - 完成沟槽填充后,通过化学机械抛光(CMP)实现表面平整,并移除牺牲氮化层。 5. **阱区及阈值电压调整掺杂** - 进行n型和p型阱的形成以及阈值电压(VT)调节掺杂。 6. **多晶硅淀积与刻蚀** - 完成阱区域后,沉积多晶硅层并进行图案化刻蚀。 7. **源漏区掺杂** - 进行n+和p+的离子注入,并在多晶硅中加入掺杂物。 8. **绝缘层淀积与接触孔刻蚀** - 淀积二氧化硅(SiO2)绝缘层并刻蚀接触孔,以实现后续金属层之间的连接。 以上内容详细介绍了CMOS集成电路制造过程中的关键技术点,包括单项工艺、N阱CMOS和双阱CMOS的整体流程。这些知识点对于理解现代电子技术中CMOS电路的制造原理及其应用至关重要。