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关于横向超结器件中衬底辅助耗尽效应的研究与展望

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简介：
本研究深入探讨了横向超结器件中的衬底辅助耗尽效应，分析其工作机理，并对其未来发展方向进行了展望。通过优化设计以提高器件性能，推动电力电子技术进步。 横向超结双扩散金属氧化物半导体（SJ-LDMOS）具有出色的性能，在高压集成电路和功率集成电路领域展现出广阔的应用前景。然而，衬底辅助耗尽效应是影响横向超结功率器件性能的关键因素之一。本段落分析了SJ-LDMOS中衬底辅助耗尽效应的产生机理，并总结了当前国内外用于消除该效应的技术方法。同时比较了这些技术在比导通电阻与击穿电压方面的表现关系。最后，文章从设计技术、工艺改进及理论模型构建三个方面探讨了横向超结器件未来的发展趋势。

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  • 关于横向超结器件中衬底辅助耗尽效应的研究与展望
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    本研究深入探讨了横向超结器件中的衬底辅助耗尽效应，分析其工作机理，并对其未来发展方向进行了展望。通过优化设计以提高器件性能，推动电力电子技术进步。 横向超结双扩散金属氧化物半导体（SJ-LDMOS）具有出色的性能，在高压集成电路和功率集成电路领域展现出广阔的应用前景。然而，衬底辅助耗尽效应是影响横向超结功率器件性能的关键因素之一。本段落分析了SJ-LDMOS中衬底辅助耗尽效应的产生机理，并总结了当前国内外用于消除该效应的技术方法。同时比较了这些技术在比导通电阻与击穿电压方面的表现关系。最后，文章从设计技术、工艺改进及理论模型构建三个方面探讨了横向超结器件未来的发展趋势。
     
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