反相器布局及DRC、LVS仿真分析1
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简介：
本课程详细讲解了反相器电路的设计与布局方法，并通过DRC（设计规则检查）和LVS（版图与电路一致性验证）等技术，进行深入的仿真分析。适合电子工程专业的学生和技术人员学习。
本段落将介绍如何在集成电路设计过程中使用反相器的版图设计，并详细讲解进行设计规则检查（DRC）和电路与版图一致性验证（LVS）的具体步骤。
1. **进入版图编辑环境**：
- 使用MobaXterm创建一个新的session，输入远程主机地址。
- 登录服务器后，建立VNC端口连接并启动相应的设计工具。具体操作是登录到服务器，并通过VNC客户端连接至该服务器的指定端口（例如10.20.20.46:n），然后使用密码进行验证。
- 在成功连接之后，在图形界面中打开 Virtuoso 软件，选择 Tools -> Library Manager 并创建一个新的库 Tuotorial-layout，并将其附加到现有的技术库。
2. **绘制反相器版图**：
- 从tsmcN65库中添加pmos（pch）和nmos（nch）实例，保持适当的间距。
- 使用快捷键R在poly层上创建多晶硅区域，并确保边界对齐。
- 在M1层绘制矩形以连接至MOSFET的漏区，并引出输出端。
- 绘制输入和输出端口于mos源区附近，注意保持与电路图一致性的边界对齐。
- 添加接触点（via）并确保金属框正确放置，使输入信号能够通过多晶硅层到达MOSFET的栅极。
3. **衬底连接**：
- 对pmos器件，在其衬底上连接到vdd电压，并保持与M1金属层对齐。
- 同样地，对于nmos器件，则将其衬底连接至gnd电位，确保也符合M1层的布局要求。
4. **DRC仿真**：
- 使用Calibre软件运行设计规则检查（DRC），初次执行时选择取消并手动指定正确的规则文件路径。
- 定义输入输出参数后启动仿真过程以确认版图是否遵循所有工艺规范和标准，从而避免潜在制造问题。
5. **LVS仿真**：
- 在进行电路与版图一致性验证（LVS）前，请确保拥有一个结构上完全匹配的原理图，并且更改mos为pch和nch标识符。
- 启动Calibre LVS工具并指定适当的规则文件路径，以保证检查结果准确无误。
- 设置输入输出参数后运行仿真程序来验证版图与电路设计的一致性。
DRC和LVS是集成电路开发流程中的关键步骤。它们不仅可以确保所有设计遵循工艺规范，还能发现潜在的制造问题，并且保证最终产品的功能正确性和可靠性。对于初学者而言，掌握这些操作至关重要，因为这是IC设计过程的重要组成部分。
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