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IRF4905是一种场效应管。

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简介:
该IRF4905MOSFET场效应管主要应用于各种常见的电路中,以实现对大功率设备的开关控制功能。

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  • IRF4905
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    IRF4905是一款高压N沟道功率MOSFET,专为直流电机和其他感性负载驱动应用设计。它具有低导通电阻和高电流承载能力。 IRF4905 MOSFET场效应管用于控制电路的通断,并管理大功率设备。
  • 浅谈原理(六):——其实就个电控开关
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    本文为《浅谈原理》系列文章第六篇,探讨了场效应管的工作机制,将其比喻为“电控开关”,帮助读者理解这一电子元件的基本概念和应用。 文章向大家介绍了场效应管。
  • N沟道型 IRF540
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    IRF540是一款高性能N沟道功率场效应晶体管,适用于开关电源、电机驱动等高电流应用场合。 IRF540是一款采用沟槽工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管。它广泛应用于DC到DC转换器、开关电源以及电视及电脑显示器的电源系统中。IRF540提供SOT78(TO220AB)常规铅封包装,而IRF540S则采用适合表面安装的SOT404(DPak)封装。
  • 参数详解.doc
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    本文档深入解析了场效应管的各项关键参数,包括但不限于阈值电压、漏极电流和跨导等,旨在帮助读者全面理解并有效应用这些器件。 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件具有三个极性:栅极、漏极和源极。其特点是栅极内阻极高,采用二氧化硅材料制造的产品可以达到几百兆欧姆,属于电压控制型器件。
  • 绝缘栅与三极特性曲线参数对比及分析
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    本文深入探讨了绝缘栅场效应管和三极管在电气性能上的差异,通过详细比较它们的特性曲线和参数,旨在帮助读者更好地理解和应用场效应管。 绝缘栅场效应管包括N沟道耗尽型和P沟道耗尽型。
  • 个关键参数——跨导gm:的工作原理
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    本文章介绍了场效应管的关键参数之一——跨导gm,并深入探讨了其在器件工作原理中的重要作用。通过分析gm值的变化,读者可以更好地理解场效应管的性能和应用。 一个重要的参数是跨导gm:其定义为 gm=ΔiD/ΔuGS| uDS=const(单位mS)。gm的大小反映了栅源电压对漏极电流控制作用的程度。在转移特性曲线上,gm表示曲线的斜率;同样,在输出特性曲线上也可以求得gm值。
  • 开关工作原理.doc
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    本文档探讨了场效应管(FET)作为电子开关的工作机制,包括其基本结构、操作模式以及如何利用电压控制电流流动的特点。适合电路设计与分析初学者阅读。 本电路利用微动开关和场效应管制作一个电源开关电路,采用非自锁式的开关设计使电源控制更加高档,告别传统的自锁式开关。
  • 解决过热的方法
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    本文探讨了如何有效应对和预防场效应管在工作过程中出现的过热问题,提供了多种实用解决方案。 场效应管发热的原因: 1. 电路设计问题:让MOS管工作在线性状态而非开关状态下会导致其发热。例如,在N-MOS作为开关使用的情况下,栅极电压需比电源高几伏才能完全导通;P-MOS则相反。如果未达到充分打开的状态,则压降过大导致功率损耗增加,进而产生更多热量。 2. 频率过高:为了追求体积小巧而提高频率会导致MOS管上的能量损失增大,并因此发热严重。 3. 散热设计不足:即使电流低于最大额定值,若散热措施不够充分也可能造成过高的温度。适当的辅助散热片是必要的。 4. MOS管选型错误:功率评估不准确或忽略了内阻因素都可能导致开关电阻增加。 解决场效应管发热的方法: 1. 增加铜箔面积并添加更多的散热孔来改善热传导效果。 2. 使用导热胶贴。常见的方法包括使用散热器和导热硅脂直接接触MOS管进行冷却,如果外壳不能接地,则可以利用绝缘垫片隔离后再用导热硅脂降温。另外也可以选择硅胶片覆盖在场效应管上以达到既散热又防静电的效果。
  • 绝缘栅详解图1
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    本图详细展示了绝缘栅场效应管(IGFET)的结构与工作原理,包括其内部构造、电极标识及电流流动路径等关键信息。 绝缘栅型场效应管(IGFET),通常指的是金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。这是一种利用半导体表面电场来控制电流的电子器件。在MOSFET中,栅极与半导体之间由一层绝缘体隔开,通常是二氧化硅层,因此具有非常高的输入电阻,一般大于1000兆欧姆。这种结构显著减少了栅极电流,并使MOSFET拥有很高的输入阻抗,使其适用于高输入阻抗的应用。 根据工作特性,MOSFET主要分为增强型和耗尽型两大类: - 增强型:当栅源电压(VGS)为零时,漏源之间不存在导电沟道。为了使器件开始导电,需要通过正向偏置的VGS来吸引电子形成导电沟道。这种类型的MOSFET工作时需要开启电压VT,在VGS超过VT的情况下才能导通。 - 耗尽型:当栅源电压为零时漏源之间已存在导电沟道,并且可以通过改变正向或负向的VGS来控制电流iD。耗尽型MOSFET可以在没有偏压的情况下调节电流。 以N沟道增强型MOSFET为例,其结构包括: - P型半导体基底上扩散两个N型区域作为漏极和源极。 - 表面覆盖一层二氧化硅绝缘层作为栅极介质。 - 栅极为外部电路提供连接点。 工作原理如下: 1. 当VGS为零时,没有导电沟道形成于漏源之间。因为器件内部至少存在一个反向偏置的PN结,所以无法产生电流iD。 2. 当VGS大于零时,在栅极下方的二氧化硅绝缘层中产生的电场排斥P型半导体中的空穴,并吸引N型半导体中的电子至表面区域形成导电沟道。随着增加VGS值,将导致在漏源之间出现由电子形成的反型层,从而增强电流。 3. 当达到开启电压VT时,该过程加速了导电性并使iD随着VDS的上升而增大。 4. 若继续提升VGS和/或VDS,则靠近漏极区域会形成夹断区。在这种情况下,即使增加偏置电压也不会改变漏源电流。 符号方面: - N沟道与P沟道MOSFET使用不同的图形来表示其导电类型和工作特性。 - 通常用箭头指向内部的N型器件代表电子流动方向;相反地,对于P型,则是向外的方向以表明空穴移动情况。 在实际应用中,影响MOSFET性能的因素包括电压变化、温度波动以及制造工艺差异等。因此,在设计电路时充分理解和掌握其工作原理和特性是非常重要的,这有助于确保系统的稳定性和效能。