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(工艺技术)DCC催化裂解工艺技术.docx

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简介:
本文档详细介绍了DCC(浆态床连续催化裂解)工艺技术,包括其工作原理、操作流程及在石油炼制中的应用优势,是深入了解该技术的理想资料。 催化裂解工艺技术(DCC)是一种重要的石油加工过程,用于将重质原油转化为轻质油品和其他有价值的化学品。该工艺通过使用催化剂来加速化学反应,从而提高原料的转化率和产品收率,并且能够生产出高质量的汽油、柴油等燃料以及烯烃类化工原料。 催化裂解技术的核心在于选择合适的催化剂体系和操作条件,以实现高效能的物质转换。DCC工艺通常包括预处理步骤(如脱硫、脱氮)、反应器中的主反应过程及产物分离与精制阶段等多个环节。通过优化这些流程参数,可以有效降低能源消耗并减少环境污染。 近年来,随着环保要求日益严格以及市场需求的变化,研发人员不断探索改进催化裂解技术的方法以适应新的挑战和机遇。例如开发新型高效催化剂、引入先进的控制策略等措施都被视为提升DCC工艺性能的关键途径之一。

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  • ()DCC.docx
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    本文档详细介绍了DCC(浆态床连续催化裂解)工艺技术,包括其工作原理、操作流程及在石油炼制中的应用优势,是深入了解该技术的理想资料。 催化裂解工艺技术(DCC)是一种重要的石油加工过程,用于将重质原油转化为轻质油品和其他有价值的化学品。该工艺通过使用催化剂来加速化学反应,从而提高原料的转化率和产品收率,并且能够生产出高质量的汽油、柴油等燃料以及烯烃类化工原料。 催化裂解技术的核心在于选择合适的催化剂体系和操作条件,以实现高效能的物质转换。DCC工艺通常包括预处理步骤(如脱硫、脱氮)、反应器中的主反应过程及产物分离与精制阶段等多个环节。通过优化这些流程参数,可以有效降低能源消耗并减少环境污染。 近年来,随着环保要求日益严格以及市场需求的变化,研发人员不断探索改进催化裂解技术的方法以适应新的挑战和机遇。例如开发新型高效催化剂、引入先进的控制策略等措施都被视为提升DCC工艺性能的关键途径之一。
  • 深入理PCB
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    《深入理解PCB工艺技术》是一本全面解析印制电路板制造流程与技巧的专业书籍,适合电子工程师及研发人员阅读。 PCB(Printed Circuit Board)工艺在电子制造过程中至关重要,涵盖了电路板的设计、生产及质量控制等多个方面。该工艺包括线路布局、层压、钻孔、电镀、丝印、阻焊以及字符印刷等步骤。 1. 线路布局:设计阶段需要合理规划各元件的位置和连接线路,以确保信号传输效率并提高抗干扰能力。这涉及电磁兼容(EMC)与信号完整性(SI)的设计考虑。 2. 层压:多层PCB的制作中,通过层压技术将不同层面板结合在一起形成整体结构。此过程需要控制压力、温度和时间等参数以确保各层之间的良好粘合及电气连接。 3. 钻孔:精确钻孔工艺用于创建PCB上的多个孔洞,以便于不同层次之间导线的连接。完成钻孔后需对孔壁进行化学镀铜处理来形成有效的导电通路。 4. 电镀:这是保证PCB内部导电路径连续性及无缺陷的关键步骤之一。该过程还包括全板镀铜以增强电路板的电气性能和机械强度。 5. 丝印:阻焊层与字符印刷是此阶段的重要任务,前者防止非设计连接区域发生短路,后者用于标识元器件信息及其他生产细节。 6. 阻焊:涂覆绝缘涂层可以保护未被覆盖铜箔的部分免受后续焊接操作的影响,并避免意外的电气短接现象。 7. 点对点电阻测量:评估PCB上两个接触点之间的导电性能是衡量电路板质量的重要指标。不同材料、厚度及工艺会影响该值大小。 8. 导电涂料的应用:新型导电涂层如Spraylat公司的SOS系列在电磁屏蔽等方面表现出色,且相比传统真空镀膜技术提供了更多选择性——包括银镀铜、纯银和铜漆等不同类型金属介质的选项。这些材料适用于各种厚度需求及复杂设计结构,并具有优良面电阻与点对点电阻性能。 9. 膜厚控制:涂层厚度直接影响到PCB电气特性和机械稳定性的表现,新型导电涂料在此方面表现出色,在保证良好导电性的同时适应更复杂的电路板构造要求。 10. 性能测试:老化循环试验是评估产品在长期使用条件下性能稳定性的重要手段,包括耐温、湿度等因素的影响。 综上所述,PCB工艺从设计到制造的每一个环节都对最终产品的质量和可靠性产生着直接作用。随着技术的发展,先进的导电涂料为该领域的进步提供了更多可能,并进一步提升了电路板的整体效能和耐用性。
  • 半导体全面
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    《半导体工艺技术全面解析》一书深入浅出地介绍了半导体制造的核心技术和流程,从材料选择到器件制作,为读者提供详尽的技术指导和行业洞察。 详细介绍了半导体工艺技术的入门知识。这段文字涵盖了半导体制造的基本原理和技术流程,适合初学者了解这一领域的基础知识。
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    本资料集为ICT(In-Circuit Test)测试领域的专业文档合集,涵盖了测试工艺、技术标准及实践应用等内容,适用于电子制造企业和相关技术人员参考学习。 ICT测试工艺技术ZIP文件包含了与ICT测试相关的技术和方法。文档详细介绍了如何进行有效的ICT测试,并提供了相应的技术资料和案例分析。这些资源对于理解和实施高效的ICT测试流程非常有帮助。
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    本PDF文件详述了Bumping凸块技术及其相关工艺流程,内容涵盖材料选择、制备方法与应用领域,适用于集成电路封装研究。 Bumping凸块技术是一种在芯片制造封装流程中的重要工艺。它涉及在芯片表面制作微小的金属突起(即“bump”),用于实现芯片与其他组件之间的电气连接,提高信号传输效率并减少电磁干扰。 基本的芯片制造包括设计、掩模制造、晶圆加工和封装测试等步骤。其中,凸块技术主要用于封装阶段,通过在硅片上形成凸点阵列来建立与外部电路板或其它器件间的互联。这一过程不仅简化了后续组装操作,还提高了整体系统的可靠性和性能。 对于初学者而言,了解芯片的基本构造、工作原理以及制造流程是非常有帮助的。这包括掌握半导体材料特性、集成电路设计规则及各种封装技术的应用场景等内容。
  • 半导体制造@第100章——平坦
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    本章节深入探讨了半导体制造中的关键步骤——平坦化技术,详细解析其原理、应用及最新发展,为读者提供全面理解这一工艺的基础。 在半导体制造过程中,平坦化技术是一项至关重要的工艺步骤,对于确保集成电路(IC)的高性能和可靠性起着决定性作用。本章将深入探讨平坦化技术的原理、方法及其在现代半导体制造中的应用。 我们首先需要理解为何需要进行平坦化处理。随着微电子技术的发展,多层布线结构中每一层电路制作都需要基于前一层的基础上完成。然而,特征尺寸不断缩小的过程中,如果晶圆表面不平整,后续光刻和蚀刻工艺将难以精确执行,可能导致连接错误或性能下降等问题。因此,平坦化的目的是消除不同层级之间的高度差异,并使整个晶圆的表面保持一致和平整状态。 目前常用的平坦化技术主要包括以下几种: 1. **化学机械抛光(CMP)**:这是最常用的技术之一。通过结合化学反应和物理摩擦作用去除多余的材料层,以实现均匀平整的目的。 2. **蚀刻回填法**:这种方法主要用于早期的半导体工艺中,通过对顶部高点进行局部或全局干湿式蚀刻再填充新材料来达到平坦化的效果。 3. **硬掩模平坦化**:在特殊情况下使用硬性保护层覆盖底层电路并执行特定操作以实现表面平整。 4. **有机物质蒸汽沉积(OPD)**:通过沉积一层有机材料然后进行处理,适用于浅沟道隔离等结构的制造过程中的平坦化需求。 5. **嵌入式金属绝缘体技术**:将金属线路埋藏于绝缘体内并控制其生长情况来实现表面平整。 每种方法都有各自的优点和局限性,并且适合不同的工艺阶段。例如,CMP在多层布线中表现出色但可能会产生边缘效应或表面缺陷等问题。因此,在实际应用时需要根据具体需求选择合适的平坦化技术方案。 随着半导体器件特征尺寸的不断减小以及向更高级别的制造挑战迈进(从微米级到纳米级甚至未来的原子尺度),对更加高效的平坦化策略的需求也越来越高,例如自组装分子层平铺或新型原子层沉积方法等可能会成为未来研究的重点方向之一。 总的来说,掌握并优化这些不同的平坦化技术对于确保半导体芯片的精度和可靠性至关重要。通过深入理解各种技术的应用场景及其优劣特性,工程师可以进一步提升制造流程的有效性和效率。
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    《摄影技艺与艺术》第三版是一本深入探讨摄影技术、美学原理及其创作实践的专业书籍。本书不仅涵盖了摄影的基本技巧和高级技法,还详细讲解了如何通过创意和技术来表达个人的艺术理念。无论是初学者还是有经验的摄影师,都能从中获得灵感和指导,提升自己的摄影水平。 摄影技术与艺术(第3版).zip这本书包含了关于摄影技术和艺术方面的知识和技巧。书中内容经过了更新和完善,适合对摄影感兴趣的人士阅读学习。
  • 3D封装及硅通孔(TSV)
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    简介:3D封装与硅通孔(TSV)技术是集成电路先进封装领域的核心技术,通过垂直互连实现多芯片堆叠集成,大幅提高电子产品的性能和功能密度。 3D封装与硅通孔(TSV)工艺技术通过使用铜互连的立体垂直整合方法,在半导体行业中被公认为最先进的技术之一。其中,硅片通孔是三维叠层硅器件技术的重要进展。作为关键开发技术,TSV利用短的垂直电连接或“通孔”贯穿整个硅晶片以建立芯片侧边到背面的有效电气连接。这种技术提供最直接的互连路径,并为最终实现3D集成提供了可能途径。 与传统的引线键合和倒装芯片堆叠相比,TSV技术显著提高了空间效率并增加了互连密度。当结合微凸块接合及先进倒装芯片工艺时,该技术能够在更小的空间内提供更高的功能整合度和性能表现。
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    Bumping凸块技术是一种用于集成电路封装的关键互连技术,本文档详细介绍该技术的基本原理、制作工艺流程及应用优势。 Wafer Bump凸块技术与工艺简介包括了详细的工艺流程以及原辅材料的介绍。该技术主要应用于半导体制造领域,通过在晶圆表面形成金属凸点(bumps),实现芯片之间的电气互连。整个过程涉及到清洗、镀层沉积、光刻定义和电镀等步骤,并使用到诸如铜球焊料、锡铅合金以及其他相关化学药剂作为原材料。 重写后的文字更加简洁明了,去除了原文中的非必要信息如链接及联系方式: Wafer Bump凸块技术是一种重要的半导体制造工艺,用于在晶圆表面形成金属凸点以实现芯片之间的电气连接。该工艺包括清洗、镀层沉积、光刻定义和电镀等步骤,并使用铜球焊料、锡铅合金及其他化学药剂作为原材料。
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    本简介探讨CMOS集成电路制造中的SOI(绝缘体上硅)技术,分析其在减少漏电流、提高工作频率和降低功耗等方面的优势及其应用前景。 CMOS集成电路制造工艺是指用于生产互补金属氧化物半导体器件的技术流程。这一过程包括了从硅片准备到最终测试的多个步骤,涉及到了光刻、蚀刻、离子注入等关键工序。通过这些复杂的步骤,可以实现大规模集成电子电路的设计与制作。