MOS管驱动电路详解总结
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简介：
本文深入解析了MOS管驱动电路的工作原理与设计技巧，涵盖驱动方式、信号处理及实际应用案例，旨在帮助电子工程师优化电路性能。
在设计开关电源或马达驱动电路并选用MOS管时，人们通常会关注导通电阻、最大电压及最大电流等因素。然而，这些因素仅考虑是不够的，因为这可能导致性能不佳的设计方案，在正式产品设计中不能接受。以下是关于MOSFET及其驱动电路基础的一些总结和说明。
1. **MOS管种类与结构**：
MOSFET属于场效应晶体管（FET）的一种类型，可以分为增强型或耗尽型，并且有P沟道和N沟道两种类型，共计四种。但实际上应用中只使用了增强型的NMOS和PMOS。
为什么不采用耗尽型MOS管的具体原因不建议深究。在实际的应用场景中，尤其是开关电源与马达驱动场合下，大多选择NMOS是因为其导通电阻较小且易于制造。
2. **寄生电容**：
在MOSFET的漏极、源极和栅极之间存在寄生电容。虽然这些电容是由于制造工艺产生的非理想特性，但在设计或挑选驱动电路时必须考虑以确保最佳性能。
3. **体二极管的作用**：
MOSFET原理图显示了在漏端与源端间有一个寄生的体二极管，在处理感性负载（如马达）的应用场景中，这个特性非常重要。值得注意的是，这种体二极管仅存在于单个MOS器件内，并不常见于集成电路内部。
以上内容为对MOSFET及其驱动电路基本特性的介绍和应用说明。
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