通过光子晶体提升InP基LED的发光效率

简介：
本研究探索了利用光子晶体技术改善InP基LED（发光二极管）性能的方法，着重于提高其发光效率。通过对材料结构的设计优化，实现了显著的性能改进。 在当今的各个行业中，LED得到了广泛应用，涵盖了显示、照明以及通信等领域。然而，在传统的发光器件中，由于内全反射导致传输模的存在，出光效率受到了限制。近年来，人们提出了多种改善LED出光效率的方法，例如表面粗糙化和谐振腔法等技术，并且采用这些方法已经观察到了不同程度的出光效率提升。 鉴于光子晶体中存在的类似半导体材料中的电子禁带特性——即所谓的“光子禁带”，这一领域被视为新一代光学半导体研究的重要方向。由于这种独特的结构特征，特定频率范围内的光子无法通过该介质，因此可以利用此原理开发多种性能卓越的光电设备，比如光子晶体激光器和大角度弯曲波导等。 本段落将重点探讨如何运用光子晶体中的带隙特性来改善LED器件的出光效率。