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MOSFET开关特性研究与米勒平台振荡抑制.pdf

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简介：
本文探讨了MOSFET的开关特性，并深入分析了米勒平台效应导致的振荡问题。通过理论和实验方法提出有效的抑制策略，以提高电路性能和稳定性。 本段落研究了MOSFET的开关过程，并对米勒平台振荡的原因进行了详细分析，提供了一些解决经验。

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  • MOSFET开关特性研究与米勒平台振荡抑制.pdf
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    本文探讨了MOSFET的开关特性，并深入分析了米勒平台效应导致的振荡问题。通过理论和实验方法提出有效的抑制策略，以提高电路性能和稳定性。 本段落研究了MOSFET的开关过程，并对米勒平台振荡的原因进行了详细分析，提供了一些解决经验。
     
  • 关于米勒平台震荡的理解
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    本文探讨了米勒平台在化学反应中的震荡现象，分析其产生的原因和机制，并提供了相关的实验数据及理论解释。 功率器件的开关过程十分复杂，在实际应用中无论是MOS还是IGBT都会遇到震荡现象。一篇相关的研究论文探讨了这个问题，并提出了一些见解，值得阅读。该文总结如下： 1. 在MOSFET的开关过程中，如果栅极电阻较小且发生栅极电压振荡，则很可能是由于源极寄生电感过大引起的。根据公式U=L*di/dt可知，在栅极电阻小、开通速度快（即di/dt大）的情况下，若寄生电感L也较大，则会在该寄生电感上产生更大的电压波动。这种震荡的特点表现为栅极电压有过冲现象，超过米勒平台电压后下降，并在米勒平台上附近出现振荡。 2. 若栅极电阻较大，在栅极电压升至米勒平台之后发生跌落并引发附近的震颤。
     
  • MOSFET米勒效应振荡原因及寄生电压问题分析
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    本文深入探讨了MOSFET中的米勒效应导致振荡的原因，并分析了由此引发的寄生电压问题，为电路设计提供了理论支持和解决方案。 **MOSFET的米勒震荡成因及寄生电压问题详解** 在电力电子和硬件设计领域，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的应用广泛，但其在实际工作时可能会遇到米勒震荡和寄生电压的问题。这些问题主要由驱动端欠阻尼震荡、米勒电容过大以及源极寄生电感过大等因素引起，并对MOSFET的工作状态产生影响。 ### 一、驱动端欠阻尼震荡导致的米勒平台震荡 在MOSFET工作过程中，其栅极与外部电路（包括寄生电感和电阻）共同形成了RLC振荡电路。当设计不当时，在栅极电压上升至阈值附近形成稳定阶段即米勒平台期间可能会出现欠阻尼状态下的震荡现象，这可能导致MOSFET二次关断。 ### 二、米勒电容过大导致的米勒平台震荡 在开关过程中，MOSFET的栅-漏（Cgd）和栅-源（Cgs）电容发挥重要作用。当栅极电压上升使MOSFET导通时，VDS下降会导致Cgd上的电压无法瞬间变化，从而拉低栅极电压形成米勒平台。若此时米勒电容较大，并结合走线的等效电阻和寄生电感，则可能限制驱动电流并导致Vgs突然下降，使得MOSFET从导通状态跳变回关断状态。 ### 三、源极寄生电感过大造成的米勒平台震荡 在快速开通时，源极的寄生电感会导致栅极电压产生过冲现象。如果小栅电阻和大电流变化率存在，则会使得该寄生电感上的压降增大，在米勒平台上形成额外的电压波动。 ### 四、软件模拟结果分析 通过使用仿真工具进行不同条件下的测试，可以观察到Cgd容值大小以及源极寄生电感对栅极电压的影响。当Cgd较大时，震荡现象更加明显；而随着寄生电感增加，这种振荡的幅度也会增大。 ### 五、三相桥电路中的寄生电压问题 在三相桥中，在GS端并联合适的电容可以有效防止米勒平台震荡和抑制寄生电压。然而这同时也增加了驱动损耗及开关损耗，导致芯片温度上升。寄生电压产生是因为Cgs通过快速变化的电流吸收或释放大量电荷而引起的。 理解和解决MOSFET的米勒震荡与寄生电压问题是硬件工程师和技术专家在电路设计中面临的重要挑战之一。通过对这些现象进行精确计算和布局优化，则可以有效控制它们，并提高整个系统的稳定性和效率。
     
  • 关于并联LC谐振电路振荡的研究.pdf
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    本文探讨了并联LC谐振电路的振荡特性，分析了影响其性能的关键因素，并提出了一种优化设计方法以提升其在无线通信中的应用效果。 《并联LC谐振电路的振荡研究》一文探讨了电子设备中的一个重要领域——并联LC谐振电路。该类型调谐电路由电感器（L）、电容器（C）及电压或电流源构成，是电子产品不可或缺的部分，例如用于选择和调整特定无线电台或电视台频率。 在并联LC谐振电路中，当输入电压与电流同相位时，表明此时的阻抗达到最小值且呈现纯电阻特性。通过调节L、C元件或信号源频率（ω），可实现电路的谐振状态。其计算公式为：ω0 = 1/√(LC)；以赫兹表示的谐振频率fo则由公式 fo = ω0/(2π) 得出。 文章提及了利用ADALM1000SMU进行并联谐振电路实验的研究，涉及硬件包括ADALM1000模块、无焊试验板、4.7mH电感器、10μF电容器及其它组件。通过配置AWG输出特定信号，并使用示波器观察变化情况，参与者能够测量电路的振荡频率并分析二极管的功能。 实验旨在理解并联LC谐振电路的振荡行为。通过设置特定参数并通过示波器查看波形，了解其在谐振状态下的特性如振荡频率和形式。此外还涉及了如何记录数据包括图形与计算结果，并对它们进行详细注释的重要性。 总而言之，本段落介绍了并联LC谐振电路的基本原理及其应用价值，并展示了通过实验研究该类电路振荡特性的方法。文章详述了操作步骤涵盖硬件配置、信号源设定以及波形观察和数据分析等环节。此类实践有助于深化理论理解并将知识应用于实际工程实践中，在电子工程领域尤为重要。
     
  • 基于西勒振荡电路的电压控制型LC振荡器
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    本研究设计了一种新型电压控制型LC振荡器，采用西勒振荡电路作为核心结构，能够实现宽频带、高稳定性的正弦波信号输出。 基于西勒经典振荡电路设计并制作了LC振荡器。采用锁相环技术进行稳频，并利用AGC原理实现稳幅功能。该装置能够支持步进频率调节输出。
     
  • 振荡器设计与仿真的研究
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    《振荡器设计与仿真研究》一书深入探讨了各类振荡器的工作原理、设计方法及优化技术，并通过实例展示了电路仿真在实际工程中的应用。 振荡器的设计与仿真涉及多个步骤和技术细节。这一过程包括理论分析、电路设计以及使用相关软件进行模拟测试。通过这些方法可以确保所设计的振荡器能够满足预期的功能需求，并且在实际应用中表现出良好的性能稳定性。 需要注意的是，这里描述的内容并未包含任何联系方式或链接信息，在重写时也未添加此类内容。
     
  • 关于Buck电路中开关电源纹波的计算与抑制的研究.pdf
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    本文探讨了在Buck电路中的开关电源纹波问题，深入分析其产生的原因，并提出有效的计算方法和抑制策略，以提高电源系统的稳定性和效率。 本段落基于对Buck电路原理的分析，重点推导了纹波电流和电压的计算公式，并通过这些公式的分析找出影响纹波产生的因素以及相应的改善措施。
     
  • 西勒振荡器仿真.ms14
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    《西勒振荡器仿真》是一款基于微软模拟软件开发的电子工程实验工具，专注于研究和分析西勒振荡器的工作原理与特性。用户可以通过调整参数直观地观察振荡器输出波形的变化，适用于教学、科研及个人学习。 根据大佬提供的原理图，在Multisim14中实际绘制仿真图，并且经过亲测可以应用。
     
  • 西勒振荡器资料.rar
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    本资料包含关于西勒振荡器的设计原理、应用实例及电路图详解等内容，适合电子工程爱好者和技术人员参考学习。 数电课设包括西勒振荡器的设计内容，并附有PCB原理图及课程设计论文文档，经过测试证明完全可用。
     
  • 非线性元件抑制谐振过电流仿真分析研究
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    本研究专注于探讨非线性元件在电路中的应用，通过仿真技术深入分析其对谐振过电流的抑制效果，为电力系统的稳定运行提供理论支持与实践指导。 分布式电源有源配电网系统的发展过程中，电源侧的不稳定会导致频率波动、谐波产生以及电压波动或铁磁饱和引发的谐振等问题；这些问题进而可能导致过电压和过电流现象，从而损害设备并威胁系统的安全稳定运行。为解决上述问题，本段落比较了近年来一些用于检测与滤除谐波的方法及抑制谐振的技术，并结合谐振原理设计了一种可以有效利用非线性特性来抑制因铁磁饱和引发的过电流的新型电感电路。 相比传统的由普通电阻（R）和串联电感-并联电容组成的LC电路，本段落提出的电路能够避免受到过电流的影响，并且在一定程度上减少了对设备造成的电压损害。通过仿真测试证明了该设计可以有效抑制谐振过程中产生的过电压及过电流现象。