本文详细介绍N沟道SOT23封装MOSFET晶体管SMG2336N-VB的技术参数，并探讨其在各类电子设备中的具体应用。
### SMG2336N-VB：N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 概述
SMG2336N-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有最大工作电压为30V、最大连续电流为6.5A以及在栅极至源极电压10V时导通电阻RDS(ON)仅为30mΩ的特点。此外，其阈值电压范围为1.2V到2.2V。
#### 主要特性
- **无卤素设计**：根据IEC 61249-2-21标准定义，SMG2336N-VB是一款环保型器件。
- **TrenchFET®技术**：采用先进的TrenchFET技术，有效降低了导通电阻RDS(ON)，提高了整体效率。
- **Rg测试**：所有产品均经过100%的栅极电阻（Rg）测试，确保了产品的可靠性和一致性。
- **RoHS合规**：符合欧盟RoHS指令200295EC的要求，适合各种环保要求的应用场合。
#### 应用领域
- **DC/DC转换器**：适用于各类电源转换系统，如笔记本电脑适配器、服务器电源模块等。
#### 产品概述
- **VDS（最大漏源电压）**：30V
- **RDS(on)（漏源导通电阻）**：
- 10V栅极至源极电压下为0.030Ω
- 4.5V栅极至源极电压下为0.033Ω
- **ID（最大连续漏级电流）**：6.5A
- **Qg（总栅电荷）**：典型值为4.5nC
#### 封装与外形尺寸
- **封装类型**：SOT23
- **外形尺寸**：TO-236（SOT-23）
#### 绝对最大额定值
绝对最大额定值指定了器件可以承受的极端条件。超出这些额定值可能会导致永久性损坏或性能下降。
- **漏源电压VDS**：30V
- **栅源电压VGS**：±20V
- **连续漏级电流ID**（结温TJ = 150°C）：
- 环境温度TC = 25°C时为6.5A
- 温度TC = 70°C时为6.0A
- 外部环境TA = 25°C时为5.3A
- 外部环境TA = 70°C时为5.0A
- **脉冲漏极电流IDM**：25A
- **连续源至漏级电流IS**（TC = 25°C）：1.4A
- **最大功耗PD**（TC = 25°C）：1.7W
#### 热阻抗
- **结温到环境温度热阻RthJA**：
- 最大值为115°C/W
- 典型值为90°C/W
- **结温到脚部（漏极）热阻RthJF**：
- 最大值为75°C/W
- 典型值为60°C/W
#### 规格参数（TJ = 25℃，除非另有说明）
- **静态参数**
- **漏源击穿电压VDS**：测试条件 VGS = 0V, ID = 250µA时最小值为30V
- **阈值电压温度系数ΔVG**：测试条件 VGS = 0V, ID = 250µA，未给出具体数值
#### 使用注意事项
- 超过“绝对最大额定值”的应力可能会导致器件永久损坏。这些额定值仅用于表示极限条件，并不意味着在超出操作规范部分所指定的任何其他条件下也能正常工作。
- 长时间暴露于绝对最大额定值下可能会影响器件可靠性。
SMG2336N-VB是一款高性能、环保型N沟道MOSFET，适用于各种DC/DC转换器等电源管理应用。通过其低导通电阻、宽电压范围以及高可靠性的设计，能够满足现代电子设备对于高效紧凑且环保的电源解决方案的需求。
5星
