英飞凌2500W图腾杆全桥功率因数校正演示板操作指南.pdf

简介：
本PDF文档为英飞凌公司出品，旨在指导用户如何使用其2500W图腾杆全桥功率因数校正演示板。内容涵盖硬件介绍、安装步骤及调试技巧等详细信息，适用于电力电子工程师和技术人员参考学习。 这款英飞凌2500瓦图腾杆全桥功率因数校正（PFC）演示板集成了CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET以及ICE3 PFC控制器，并采用1EDI高压MOSFET驱动程序。该演示平台展示了高效的PFC阶段，它利用英飞凌的CoolGantm技术将系统效率提升至99%以上，特别适用于服务器或电信整流器等对效率要求极高的场景。 增强模式（E模式）氮化镓（GaN）半导体的独特优势在于完全没有反向恢复电荷。作为宽带隙材料，这项技术使得功率级的新拓扑结构得以实现，而现有的高压超结（SJ）功率半导体则无法满足这一需求。因此，图腾柱PFC拓扑是使用英飞凌CoolGantm技术的理想选择。 该演示板能够可靠地运行高达2500瓦的负载，并且基准效率达到99.2%。实现这一点仅需两个独立的70 MΩ CoolGantm开关和两个33 MΩ 650 V CoolMostm C7金开关，所有的动力元件均为表面安装设备（SMD），从而实现了更快速、成本更低廉的组装流程。控制部分采用英飞凌标准ICE3连续导通模式（CCM）控制器，并将PWM开关频率设置为65 kHz。 该演示板展示了高效的PFC阶段，在利用英飞凌CoolGantm技术的优势下，能够达到99%以上的系统效率，特别适用于服务器或电信整流器等对效率要求极高的应用。增强模式氮化镓半导体的独特优势在于完全没有反向恢复电荷——作为宽带隙材料的一种，这使得功率级的新拓扑结构得以实现，而现有的高压超结（SJ）功率半导体则无法满足这一需求。因此，图腾柱PFC拓扑是使用英飞凌CoolGantm技术的理想选择。 此外，该演示板能够可靠地运行高达2500瓦的负载，并且基准效率达到99.2%。实现这一点仅需两个独立的70 MΩ CoolGantm开关和两个33 MΩ 650 V CoolMostm C7金开关，所有的动力元件均为表面安装设备（SMD），从而实现了更快速、成本更低廉的组装流程。控制部分采用英飞凌标准ICE3连续导通模式（CCM）控制器，并将PWM开关频率设置为65 kHz。