关于MOS管参数解析
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简介：
本文将深入探讨MOS管的关键参数及其影响因素，帮助读者理解如何选择和应用适合的MOS管。
MOS管的基本参数包括：
Coss：输出电容 Coss = CDS + CGD。
Ciss：输入电容 Ciss = CGD + CGS（其中 CDS 被短路）。
Tf：下降时间，即输出电压 VDS 从10%上升到90%所需的时间。
Td(off)：关断延迟时间，指输入电压降至90%开始至VDS升至其关断电压的10%之间的时间。
Tr：上升时间，即输出电压 VDS 从90%下降到10%所需的时间。
Td(on)：导通延迟时间，当有输入电压上升达到10%，直至VDS降至其幅值90%之间的这段时间。
动态参数包括：
Qgd：栅漏充电量（考虑米勒效应）。
Qgs：栅源充电电量。
Qg：总栅极充电电量。
此外还有以下静态参数：
IGSS：栅源驱动电流或反向电流，由于MOSFET输入阻抗大，通常在纳安级别；
IDSS：饱和漏源电流，在VGS为0且VDS值固定时的漏源电流，一般量级是微安；
VGS(th)：开启电压（阈值电压），当施加于栅极的控制电压 VGS 超过 VGS(th)，则形成从漏区到源区表面反型层之间的通道。在实际应用中，在将漏极短接的情况下，当ID达到毫安级别的时候对应的VGS即为开启电压；此参数通常会随着结温上升而减小。
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