
BSIM-SOI_4.6.1技术手册.pdf
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简介:
《BSIM-SOI_4.6.1技术手册》详细介绍了基于BSIM模型的绝缘体上硅(SOI)器件的参数化和模拟方法,适用于半导体设计工程师和技术研究人员。
本段落介绍了BSIM-SOI 4.6.1 MOSFET模型的用户手册,该模型由加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学系BSIM小组于2017年11月发布。手册详细阐述了该模型的特点和使用方法,并提供了相关技术文档。此模型适用于SOI器件的建模和仿真,在电路设计及优化中具有应用价值。用户手册的版权归加州大学伯克利分校所有。
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