弱P型碲镉汞材料及陷阱模式光导探测器

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简介：
本研究专注于开发基于弱P型碲镉汞材料的高性能光电探测器，特别关注于陷阱模式光导机制的应用，旨在提高器件在中红外波段的响应度和工作温度。窄禁带碲镉汞（HgCdTe）是一种电子和空穴混合导电的多载流子体系材料，在弱p型材料的情况下，由于电子与空穴迁移率相差大约两个数量级，容易受到少数载流子的影响。因此，单一磁场下的霍尔测试无法区分性能较差的n型材料和具有较低迁移率的p型材料。通过变温及变磁场条件下的霍尔效应测试可以对两种碲镉汞材料进行磁输运特性的区分研究。此外，还初步分析了由弱p型材料制备而成的陷阱模式光导器件的工作原理，并解释了这种新型器件相较于传统器件所展现出的独特优势。

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