FM25V10-GTR是一款采用铁电技术的大容量非易失性存储器，适用于各种需要高可靠性和低功耗的数据存储应用。该数据手册提供了详细的电气特性、引脚说明和使用指南。
铁电存储器-FM25V10-GTR数据手册是Cypress Semiconductor Corporation的一款1-Mbit串行（SPI）F-RAM产品，具有高可靠性、低功耗、快速写入和读取等特点。本手册将详细介绍FM25V10的特性、工作原理、应用场景和技术参数。
**特性**
FM25V10是一款容量为1 Mbit的铁电随机存取存储器，在逻辑上组织成128 K × 8结构，具备以下特点：
- 高耐用性：支持高达100万亿次（10^14）读写周期
- 数据保持时间长：数据可保存长达151年
- 瞬时无延迟写入机制：采用NoDelay™技术实现快速存储
- 支持高速SPI接口通信，最高可达40 MHz的频率
- 使用高可靠性的铁电工艺制造而成
- 低能耗设计：活动状态电流为300 μA、待机状态下典型值90 μA以及睡眠模式下仅消耗5 μA
- 工作温度范围广，可在工业级别环境（从 -40°C 至 +85°C）中稳定运行
- 封装采用小型的8引脚SOIC形式，并且符合RoHS环保标准
**工作原理**
FM25V10是一款铁电随机存取存储器，通过利用铁电材料在外部施加电压时产生的极化状态变化来实现数据的写入与读出。该器件支持SPI通信协议，兼容SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）。
**应用场景**
FM25V10被广泛应用于需要高可靠性和低能耗的应用场合，包括但不限于：
- 工业控制系统
- 医疗电子设备
- 汽车电子产品
- 家用电器及消费类电子产品
**技术参数**
存储容量：1 Mbit（等同于128 K × 8位）
工作电压范围：2.0 V 至 3.6 V
支持的SPI频率上限为40 MHz，读写速度可达最高10MHz
数据保持时间长达151年
可以承受高达10^14次写入操作
**Write Protection**
FM25V10提供了多种保护措施来防止意外的数据擦除或修改：
- 硬件层面的WP引脚控制功能
- 通过发送指令实现软件级别的写保护机制
- 可以对特定区域进行块级锁定，保证数据安全
**设备ID和序列号**
每颗FM25V10芯片都具有独一无二的身份标识符（Device ID）以及生产批次信息。
**低功耗特性**
该系列存储器具备出色的节能效果，在不同工作模式下电流消耗分别为：活动状态300 μA，待机状态下典型值90 μA和睡眠模式下仅需5 μA
**工业级温控范围**
FM25V10可以在广泛的温度区间内正常运作（-40°C到+85°C）
**封装类型**
采用紧凑型的SOIC 8-pin包装设计，便于集成于各类电路板上。
综上所述，FM25V10是一款具备卓越性能、可靠度和灵活性的铁电存储解决方案，在众多需要稳定持久数据保存的应用场景中表现尤为出色。
5星
