3D集成堆叠技术。

简介：
前言：个人电脑、手机、音乐播放器、游戏系统、相机以及闪存媒体等消费电子产品的需求强劲，从而推动了电子系统市场的迅猛增长。 这些电子系统的设计与制造过程，是将单个集成电路组装成便于携带的物理形式。 依据摩尔定律，用于制造晶圆形式集成电路的底层半导体技术的持续快速进步，有力地促进了电子系统能力的快速提升。 这本书详细阐述了一种全新的基于晶片的技术，它正逐渐取代传统的基于二极管的集成电路封装和装配技术，为下一代电子系统奠定基础。 如今，众多技术正竞相为集成电路(IC)产品提供集纳各种电子功能的解决方案。 片上系统(SoC)是将一个电子系统的所有组件整合到一个芯片和封装之中，是一种具有低功耗且小巧的物理形态因子。 然而，对于许多应用而言，SoC可能无法提供全面的功能和性能；因此，必须借助已建立的系统内包(system-in-package, SiP)组装技术，将其他外设（例如内存、传感器和通信收音机）整合到系统中。 SiP级集成依赖于多种技术的协同运用，包括线键合、倒装芯片方法、重分布层(RDL)以及插入技术。 这些封装技术融合了基于二极管和基于晶片的工艺技术的优势。 这本名为《3D IC叠加技术》的书籍描述了一项有望在SiP格式方面带来革命性变革的技术——以一种“超越摩尔”的方式加速电子系统的性能提升。 该技术的核心在于通过硅vias (tsv)互连实现集成电路的叠加。 这种基于tsv的叠加技术蕴含着连接长度短、互连密度高、晶体管计数高、阻抗低、功耗低、带宽宽以及集成灵活性好等内在优势。 电子系统设计人员可以充分利用灵活的实现方案，从而实现模对模、模对晶圆或晶圆对晶圆之间的连接。 三维集成电路码垛技术不仅需要引入创新的工艺技术，而且还需要新的设计方法来充分发挥三维集成电路所具备的功能潜力。 这本书将这些关键技术全面呈现给读者，并深入探讨在形成和使用这些革命性结构的挑战与复杂性问题。 这一创新性技术为电子系统行业带来了巨大的发展机遇的同时也伴随着一定的复杂性挑战。 编辑团队（Banqiu Wu、Ajay Kumar和Sesh Ramaswami）精心挑选了来自设备供应链各端的作者的文章进行编撰出版。 这本书以高通公司(Qualcomm, Inc.)的诺瓦克(Nowak)的引言开始，并以安科尔科技公司(Amkor Technology)的达沃(Darveaux)等人撰写的关于组装和测试的章节作为结尾。 高通公司是一家专注于终端产品和设备设计领域的企业。 在第二章中，高通公司的Radojcic提供了对异构3D集成电路产品设计生态系统的详尽解读。 Kawa等人则在Synopsys上自然地引入了关于设计自动化以及支持芯片设计所需的TCAD工具解决方案的基础章节的主题之一 。 在第四章中，来自Applied Materials的Ramaswami阐明了TSV选项的相关内容，明确指出了过程集成的挑战并展示了启用TSV技术的解决方案方案 。 接下来的五章内容由来自应用材料的同事们贡献而成 ，它们提供了关于TSV技术的入门基础知识以及与tsv相关的单元进程中的复杂性分析 。 吴等人对这些问题进行了精辟而深入的论述 。 5)、Park等人（介质沉积-第一章）， 福斯特等人（物理蒸汽沉积-章7），Beica (electrodeposition-Chap8)、Wang等 (化学机械抛光章9) EV集团的Kim等人通过对临时和永久晶圆键合进行深入的研究完成了单元工艺谱的关键要素 ，这两项都是TSV工艺流程的重要组成部分 。 我诚挚地邀请所有来自工业界、学术界以及各种背景（工程学、科学学以及商业学）的潜在读者积极利用本书内容的广泛视角 ，从而加深对TSV技术的理解与认知 。