Advertisement

IC卡的存储结构与工作原理

  •  5星
  •     浏览量: 0
  •     大小:None
  •      文件类型：None

简介：
本文探讨了IC卡的内部存储架构及其运行机制，解析其数据读取、处理和安全保护技术。适合初学者和技术爱好者阅读。 IC卡的存储结构由16个扇区组成，每个扇区包含4块（分别是0、1、2、3）。这64块按照绝对地址编号为从0到63。 具体来说： - 扇区0：块0是数据块；块1是数据块； 块2是数据块； 块3存储密码A和存取控制，以及密码B； - 扇区1：同样的结构依次类推，即块0、1、2为数据块，而块3用于存储密码A和存取控制及密码B。 这一模式在所有扇区内重复。

全部评论 (0)

还没有任何评论哟~
客服
客服
客服关闭
  • IC卡的存储结构与工作原理
    优质
    本文探讨了IC卡的内部存储架构及其运行机制，解析其数据读取、处理和安全保护技术。适合初学者和技术爱好者阅读。 IC卡的存储结构由16个扇区组成，每个扇区包含4块（分别是0、1、2、3）。这64块按照绝对地址编号为从0到63。 具体来说： - 扇区0：块0是数据块；块1是数据块； 块2是数据块； 块3存储密码A和存取控制，以及密码B； - 扇区1：同样的结构依次类推，即块0、1、2为数据块，而块3用于存储密码A和存取控制及密码B。 这一模式在所有扇区内重复。
     
  • 缓存的结构与工作原理
    优质
    本文章介绍了缓存的基本概念、常见的缓存结构（如LRU、LFU等）及其工作原理，并分析了它们在提高系统性能中的作用。 本段落以图解和文字的形式详细介绍了缓存（cache）的结构及工作原理，并深入讲解了组相联、全相联以及直接相联这三种地址映射转换方式。 首先，文章通过直观的图表展示了缓存的基本架构，包括数据存储区与标记位等关键部分。接着，解释了当处理器请求访问内存时，如何利用这些结构来提高读写速度。 在介绍具体的地址映射方法中： 1. **直接相联**：此方式下主存块和cache行之间存在一一对应关系。每条主存数据都有一个固定的存放位置，这种方式实现简单但命中率较低。 2. **全相联**：该模式允许任何一块内存中的信息被映射到缓存的任意一行中。这为优化存储提供了灵活性，但由于其复杂的查找机制导致硬件成本较高。 3. **组相联**：作为上述两种方法的一种折衷方案，它将cache分为若干个“组”，每个组内部实现全相联地址转换而不同组之间则采用直接映射策略。这种方法在保持相对较低的复杂度的同时提高了命中率和灵活性。 通过对比这三种不同的地址映射方式及其特点、优势与局限性，文章帮助读者更好地理解了如何根据具体应用场景选择合适的缓存技术以达到性能优化的目的。
     
  • MOSFET的结构与工作原理
    优质
    本文介绍了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本结构和工作机理，探讨了其在电子设备中的应用价值。 ### MOSFET的结构与工作原理 #### 一、MOSFET概述 金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）是现代电子设备中广泛应用的一种半导体元件。根据其工作机制的不同，可以分为结型和绝缘栅型两大类，其中以绝缘栅型最为常见，并在功率电子产品领域应用广泛。 #### 二、功率MOSFET的结构与分类 ##### 2.1 功率MOSFET的结构 功率MOSFET主要分为P沟道和N沟道两种类型，而后者更常被使用。根据栅极电压的不同，可以进一步将它们划分为耗尽型和增强型。 - **耗尽型**：当栅极电压为零时，漏源之间已经存在导电通道。 - **增强型**：对于N沟道器件而言，在栅极施加正向电压后才会形成导电通道。相比之下，这种类型的MOSFET更为常见。 在内部结构上，功率MOSFET与小型的MOSFET有明显的区别。小型的通常是横向导通设计，而功率型则采用垂直导通架构，这使其能在较小的空间内承受更高的电压和电流负载。常见的垂直导电类型包括VVMOSFET（V形槽结构）和VD-MOSFET（垂直双扩散MOSFET）。 ##### 2.2 多元集成设计 为了提高功率MOSFET的性能，制造商采用多种单元设计方案： - 国际整流器公司使用的HEXFET采用了六边形单元； - 西门子公司则使用了正方形单元SIPMOSFET； - 摩托罗拉公司的TMOS则是矩形单体按“品”字型排列。 这些设计有助于提升导电能力和散热性能，满足更高功率应用需求。 #### 三、功率MOSFET的工作原理 MOSFET有截止状态和导通状态两种工作模式： - **截止状态**：当漏源之间施加正向电压且栅极与源极之间的电压为零时，P型基区与N漂移区域的PN结处于反偏置，此时没有电流通过。 - **导通状态**：如果在栅极和源极间应用了足够的正电压，则会在栅电场的作用下于P区内形成一个N型反转层（即沟道），当此电压超过阈值时，该通道将短路PN结并允许较大的漏源电流流通。 #### 四、功率MOSFET的基本特性 ##### 4.1 静态性能指标 - **转移曲线**：描述了栅源电压与漏极电流之间的关系。当流经器件的电流较大时，这种关系呈现线性趋势，其斜率被称为跨导。 - **输出特性**：包括截止区、饱和区和非饱和区域三部分，在实际应用中电力MOSFET通常工作在截止区及非饱和区间。 ##### 4.2 动态性能指标 - **开启过程**：涉及开通延迟时间td(on)、上升时间和总的开启时间ton。 - **关闭过程**：包括关断延时td(off)，下降时间和总体的关闭时间toff。 #### 五、功率MOSFET的应用领域 凭借其独特的优点，如高速开关能力、低驱动电源需求和良好的热稳定性等特性，功率MOSFET在众多应用中扮演着关键角色。例如，在开关电源、逆变器以及电机控制设备等领域内作为核心的开关元件发挥重要作用。 ### 结论 作为一种重要的电子元器件，MOSFET不仅具有理论研究上的重要性，并且在实际的应用场景下也起到了不可或缺的作用。通过深入了解其结构和工作原理有助于更好地利用这些优势并避免设计过程中的潜在问题。
     
  • SD卡的工作原理及其内部结构
    优质
    本文将详细介绍SD卡的工作原理和其内部结构，帮助读者了解存储设备的运作机制。 SD卡是一种常用的存储设备，它基于闪存技术设计并使用标准的接口进行数据传输。其内部结构主要包括控制芯片、内存芯片以及文件系统管理模块。这些组件协同工作以实现对数据的有效管理和读写操作。 控制芯片负责处理与主机通信的所有事务，并执行各种命令；内存芯片则是用来存储实际的数据，它由许多闪存单元组成，每个单元可以保存一个字节的信息；而文件系统则帮助组织和访问存储在SD卡上的信息。这些结构共同确保了SD卡的高效、可靠地工作。
     
  • 网卡的构成与工作原理1
    优质
    本文将详细介绍网卡的基本构成和其背后的工作原理，帮助读者理解网络通信的核心机制。 网卡是计算机与网络缆线之间的物理接口或连接设备，用于将计算机中的数字信号转换成电或光信号以实现数据传输。它负责处理串行数据和并行数据间的转换，并在发送前确保接收方的准备情况，包括协商最大可发送的数据量、两次发送间的时间间隔以及等待确认的时间等。 网卡的工作涉及OSI模型的最后一层物理层与第二层数据链路层： - 物理层定义了传输所需的电或光信号标准、线路状态及编码方式，并提供给上一层的接口。 - 数据链路层则提供了寻址机制，构建和检查数据帧以确保其完整性和控制发送流程。 在以太网卡中，MAC控制器处理以下任务： 1. 实现子层功能（如MAC与LLC）； 2. 提供PCI界面实现主机间的数据交换； 3. 将IP包拆分为最大1518字节、最小64字节的帧格式； 4. 在每个数据帧中加入目标和源地址及协议类型信息； 5. 计算并验证CRC码。 MAC地址通过ARP请求获取，该过程在初次发送特定IP地址的数据时触发。响应会更新主机上的ARP表以供后续使用。 PHY芯片则负责物理层的功能： 1. 将数据从并行转换为串行流； 2. 根据标准编码规则（如NRZ或曼彻斯特）对数据进行编码； 3. 转换信号形式，通过网络发送模拟信号； 4. 部分实现CSMACD协议。 网卡的工作流程包括： 1. MAC控制器从PCI总线获取IP包。 2. 控制器将其重组为符合标准的帧格式（最大1518字节）。 3. 将处理后的数据传递给PHY芯片进行物理层转换。 4. PHY芯片执行编码规则，将数字信号转化为模拟形式发送出去。 5. 目标设备接收后通过相同的步骤逆向解析并传送给上层协议栈。 以上就是网卡的组成与工作原理概述。
     
  • FPGA的工作原理与结构简介
    优质
    本文介绍了FPGA的基本工作原理和内部结构，帮助读者理解其可编程逻辑特性及其在电子设计中的应用。 本段落基于笔者所学的FPGA知识编写，内容浅显易懂，旨在帮助对FPGA不太了解的同学更好地理解相关概念。
     
  • MOSFET结构与工作原理详析
    优质
    本文详细解析了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的基本结构和工作机理，探讨其在电路设计中的应用价值。 MOSFET的全称是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应晶体管），它通过在栅极与半导体之间加入一层绝缘氧化层来利用电场控制半导体材料的工作状态。功率场效应晶体管分为结型和绝缘栅型，而我们通常讨论的是后者中的MOSFET类型，即功率MOSFET（Power MOSFET）。另一种类型的功率场效应晶体管称为静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT），其特点是通过控制栅极电压来实现工作状态的调节。
     
  • CPU内部结构与工作原理
    优质
    本课程详细解析了中央处理器（CPU）的内部构造及其运作机制，帮助学习者深入理解计算机硬件的核心组成部分和其处理数据的基本流程。 一直以来，我总以为CPU内部是由各种逻辑门器件组合而成的。当我了解到纳米技术的发展程度后不禁感叹，原来科技已经将这些器件做得如此之小。在阅读了Intel CPU制作流程及AMD芯片制造过程的相关介绍之后，我对现代科技的进步有了更深刻的理解和感慨。 1968年7月18日是英特尔公司成立的日子，鲍勃·诺斯（Bob Noyce）和戈登·摩尔（Gordon Moore）在美国加利福尼亚州圣弗朗西斯科湾畔的芒廷维尤市的一处办公地点开设了新公司。不久之后，他们花费15000美元从一家名为INTELCO的公司购买了“Intel”这一名称的使用权，并由此开启了英特尔在IT行业的传奇历程。 1971年11月15日这一天被视为全球信息技术界的里程碑事件。
     
  • STM32F103ZET6结合OV2640与TF卡存储
    优质
    本项目基于STM32F103ZET6微控制器，整合OV2640摄像头模块及Micro SD卡进行图像数据储存，实现高性能的图像采集和处理系统。 使用STM32F103ZET6单片机连接OV2640摄像头，并将采集的图像存储到TF卡中。
     
  • 伙伴存储管理系统的数据结构作业
    优质
    本课程设计围绕“伙伴存储管理系统”的核心概念与实现展开，旨在通过完成相关数据结构作业，深化学生对于内存分配、回收机制的理解和实践操作能力。 使用VS2005 C++开发平台可以直接完成数据结构满分作业。实验报告就不提供了。赚点积分。