本示例程序展示了如何在STM32F4系列微控制器上进行FLASH存储器的数据读取和写入操作，适用于需要非易失性数据存储的应用场景。
STM32F4是ST公司开发的一款高性能ARM Cortex-M4微控制器系列，在嵌入式系统设计中有广泛应用。该系列具备丰富的外设功能及强大的处理能力，并且其内部Flash存储器不仅用于程序代码的存放，还能作为数据存储介质来记录传感器信息和配置参数等。
STM32F4的内部Flash是一种非易失性存储器（NVM），即便在断电情况下也能保持所存数据不丢失。该系列微控制器支持字节、半字（16位）、整数字（32位）乃至双数字（64位）级别的读写操作，具体细节可在STM32F4的参考手册和数据表中查到。
在进行Flash存储时，需要先了解内部分区情况。STM32F4将内部Flash划分为若干个扇区，并且每个扇区都有特定地址范围。为了确保安全的数据保存，在向某个区域写入信息前，需预先清除该扇区内已存在的数据（即擦除）。在STM32F4中，可以通过库函数实现以扇区为单位的Flash擦除操作。
示例代码中的`Flash_GetSector()`函数用于确定给定地址对应的具体扇区编号。通过一系列条件判断语句来识别输入地址所处的分区范围，并返回相应的数值标识符。这一过程在实际应用中极为关键，因为它帮助开发者明确数据将被写入哪一个扇区内。
接下来是执行擦除操作的部分：`Flash_EraseSector()`函数负责完成指定扇区的数据清除工作，在此之前需要先解锁Flash并检查有无任何错误标志存在（如先前的未成功擦除尝试）。一旦这些准备工作就绪，就可以进行真正的数据清除过程了。当一个扇区被完全清空后，所有存储单元的内容都会变为0xFF。
完成上述步骤之后便可以开始往已清理过的区域写入新的信息。在STM32F4中，通常采用整数字（32位）作为基本单位来进行Flash的写操作，并且必须确保目标地址是有效的并且已经完成了擦除过程。这是因为STM32F4不支持直接覆盖原有数据的操作模式，只能向已经被清空为0xFF状态的目标位置写入新的信息。
综上所述，在利用STM32F4内部Flash进行数据存储的过程中需特别关注以下几个方面：首先明确地址与扇区之间的对应关系；其次确保在执行任何写操作前已经完成了相应的擦除步骤并解除了可能存在的锁定机制；最后，要以整数字为单位来实现具体的数据写入过程。充分理解这些原理和规范对于正确使用STM32F4的Flash功能至关重要，并且能够有效避免因不当操作而造成数据丢失或硬件损坏的风险。
5星
