Trade-off and Optimization in Analog CMOS Design

简介：
《Trade-off and Optimization in Analog CMOS Design》探讨了模拟CMOS设计中的性能权衡和优化策略，帮助工程师提升电路设计质量。 这本书详细介绍了模拟CMOS设计中的重要性能权衡，并通过解释以下内容指导设计师实现最佳设计：基于EKV MOS模型的MOS建模对模拟设计师的意义，使用表格化的手工表达式和图表来展示漏极电流、倒置系数及通道长度的设计选择所带来的性能与权衡；这些性能包括有效的栅源偏压和漏源饱和电压、跨导效率、跨导失真、归一化漏源电导率、各种电容值，增益和带宽指标，热噪声和闪烁噪声，匹配度以及栅极和漏电流。 书中还包括了验证重要小尺寸效应（如速度饱和现象、垂直场迁移率降低、漏偏置势垒降底及门电压下倒置层增加引起的闪烁电压）的测量数据。此外，对中等反向状态进行了深入探讨，该状态下可以提供低偏压合规电压、高跨导效率以及对现代低压工艺设计中的速度饱和效应的良好免疫能力。 书中还提供了经过实际制造验证的设计示例，包括针对不同直流和交流性能权衡优化的操作跨导放大器及最低热噪声和闪烁噪声的微功耗低噪预放大器。此外，在书籍网站上提供了一个辅助设计电子表格，以帮助快速实现MOS器件与电路的最佳化设计。