Advertisement

DDR4 JESD79-4规范解析.pdf

  •  5星
  •     浏览量: 0
  •     大小:None
  •      文件类型:None


简介:
本资料深入剖析了DDR4内存技术的JESD79-4标准规范,涵盖其设计原理、性能参数及应用实践等内容。适合工程师和技术爱好者参考学习。 此文档对JESD标准下的DDR4进行中文解读,帮助读者轻松理解DDR4标准。 行业标准:作者拥有数年spec经验,并熟悉JEDEC标准建立的过程。 专业:多年DRAM问题调试及规范解读的专业能力。 咨询:承诺购买者在阅读文档过程中如有疑问,可以每天提出三个免费的问题解答。 退款:如对文档内容质量不满意,可联系作者申请退款。作者对此充满信心并作出此保证。 对于有疑问的内容或希望进一步了解详情的读者,可以直接与作者进行私信咨询。

全部评论 (0)

还没有任何评论哟~
客服
客服
  • DDR4 JESD79-4.pdf
    优质
    本资料深入剖析了DDR4内存技术的JESD79-4标准规范,涵盖其设计原理、性能参数及应用实践等内容。适合工程师和技术爱好者参考学习。 此文档对JESD标准下的DDR4进行中文解读,帮助读者轻松理解DDR4标准。 行业标准:作者拥有数年spec经验,并熟悉JEDEC标准建立的过程。 专业:多年DRAM问题调试及规范解读的专业能力。 咨询:承诺购买者在阅读文档过程中如有疑问,可以每天提出三个免费的问题解答。 退款:如对文档内容质量不满意,可联系作者申请退款。作者对此充满信心并作出此保证。 对于有疑问的内容或希望进一步了解详情的读者,可以直接与作者进行私信咨询。
  • JESD79-4 DDR4 Specification.pdf
    优质
    《JESD79-4 DDR4 Specification》是JEDEC组织发布的DDR4内存技术规范文件,详细定义了DDR4 SDRAM的标准参数与电气特性。 JESD79-4 是 DDR4 规范的文档,提供了关于 DDR4 内存的技术细节和标准要求。这份 PDF 文件详细描述了 DDR4 的工作原理、性能参数以及如何实现与系统的兼容性。对于从事相关技术开发或研究的人来说,这是一份非常有价值的资源。
  • DDR4 JESD79-4 Specification.zip
    优质
    这是一个包含DDR4内存规范(JESD79-4)的压缩文件,适用于设计和开发使用DDR4内存技术的产品。 DDR4(双倍数据率四代同步动态随机存取存储器)是内存技术发展中的重要里程碑,由JEDEC固态技术协会制定并发布的规范中包含JESD79-4这一最新规格标准。该文档详细规定了DDR4存储系统的设计、性能和功能,对于理解DDR4内存的工作原理及其设计具有重要意义。 相较于前一代的DDR3,DDR4在多个方面进行了改进与提升。其传输速度显著提高,起始频率为2133MTs,而DDR3的最高频率通常不超过1600MTs。这使得DDR4内存能够提供更快的数据传输速率,并因此提升了整个系统的性能表现。此外,通过更精细的电压控制和更低的工作电压(1.2V对比DDR3的1.5V或1.35V),DDR4实现了更高的能效并降低了功耗。 另一项重要特性是DDR4 SPD(串行存在检测)模块,该模块存储了关于内存模块的关键信息,包括制造商、容量、速度、电压和时序等数据。这些信息在系统启动过程中由CPU读取,并用于正确配置内存。JESD79-4规范详细定义了SPD的结构、编码方式及数据内容,确保不同厂商生产的DDR4内存能够兼容并正常工作。 在架构方面,DDR4采用Bank Group替代了DDR3中的Bank结构,增加了并发操作的可能性,提高了内存带宽利用率。一个时钟周期内可以同时处理来自两个不同的Bank组请求,进一步提升了访问效率。 此外,DDR4引入了新的命令和地址信号,如ACT_N(激活)和RAS#(行地址脉冲),以减少信号冲突并提高信号完整性。它还支持多种高级功能,例如片上端接(ODT)、动态电源关闭(DPD)及数据完整性检查(DIC),这些特性有助于优化内存的电源管理和错误纠正能力。 DDR4内存条的物理尺寸也有所变化,引脚数量增加到了288或320个针脚以适应更高的信号带宽需求。同时采用了新的防呆设计,比如不同的缺口位置来防止与DDR3混淆使用。 JESD79-4 DDR4 SDRAM规范定义了DDR4内存的物理层、电气特性、操作模式和管理机制,是理解和开发DDR4内存系统的基础资料。它涵盖了从基本的存储单元设计到复杂的系统级交互的所有细节,对于硬件工程师、架构师以及研究者来说至关重要。 通过深入学习并理解这份规格书的内容,我们可以更好地进行内存系统的优化与选择工作,以实现高性能且低功耗计算平台的设计目标。
  • DDR4 SDRAM的JESD79-4标准.pdf
    优质
    本资料详细介绍DDR4 SDRAM的标准规范(JESD79-4),涵盖其技术特点、性能参数及应用要求等内容。 DDR4标准的文件在某个平台上下载需要较高的积分,这不利于资源共享。我已经重新上传了一份,不过我没有足够的空间来分享大容量文件,哈哈。
  • JEDEC DDR4 SDRAM Specification (JESD79-4)
    优质
    《JEDEC DDR4 SDRAM Specification (JESD79-4)》是定义DDR4内存技术标准的重要文件,由JEDEC固态技术协会制定,详细规范了DDR4 SDRAM的电气特性、信号接口和时序要求。 JEDEC DDR4 SDRAM IC Standard 这段文字仅包含一个术语,并无其他内容需要去除或更改。因此,保持原样即可。如果是要描述这个标准的一些基本信息的话可以这样: 该文档讨论了JEDEC制定的DDR4 SDRAM集成电路的标准规范。
  • DDR4 JESD79-4B与DDR3 JESD79-3F精.pdf
    优质
    该PDF深入解析了DDR4和DDR3内存标准(JESD79-4B与JESD79-3F),详细对比分析两者的技术参数、性能特点及应用场景,适合内存技术爱好者和技术人员参考学习。 本段落档旨在对JESD标准下的DDR4和DDR3进行深入浅出的中文解读,帮助读者轻松理解这两项技术规范。 问题举例: - 你真的明白SDRAM中的S代表什么吗? - 写操作通常为何会采用中心对齐(Center Aligned),而读取则使用边缘对齐(Edge Aligned)? - DDR4为什么没有Vref DQ? - 模式寄存器是否可以被读取了? - 最大省电模式(Maximum Power Down Mode)是什么含义? - 为何服务器特别关注ECC功能? - DBI是如何实现节能的? - 是否存在类似Read Leveling的功能? - Prefetch的作用是什么? - DRAM大小和页面大小如何计算? - 存在MRS寄存器,但为什么没有MRR呢? - DDR4 POD12技术从何而来? 作者拥有多年的规范解读经验,并熟悉JEDEC标准的制定流程。凭借丰富的DRAM问题调试经验和专业的规格说明解析能力,确保文档内容准确无误。 此外,如果读者对本段落档有任何疑问或不解之处,可以每天免费提问三个问题以获得解答。对于不满意的内容质量的情况,承诺可以通过线下方式联系作者申请退款。
  • DDR4.pdf
    优质
    《DDR4规范》是一份详细介绍第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR4 SDRAM)技术标准的文档,涵盖了其性能参数、电气特性及应用要求等内容。 大家可以参考DDR4 288pin内存封装规格书。
  • DDR4标准-JEDEC79-4
    优质
    《DDR4标准规范-JEDEC79-4》是美国电子设备工程师协会(JEDEC)制定的数据传输标准,详细规定了DDR4内存的技术规格与性能参数。 本段落介绍了JEDEC协会于2012年发布的DDR4 SDRAM标准协议JESD79-4。该协议经过了JEDEC董事会层级的准备、审查和批准,并进行了后续的审查工作。作为一种高速内存技术,DDR4 SDRAM具备更高的带宽以及更低的功耗,适用于各类计算机与服务器应用中。此标准详细规定了DDR4 SDRAM在物理特性、电气性能及时间规范方面的具体要求,并阐述了其功能特点。此外,该协议还涵盖了DDR4 SDRAM的相关测试和可靠性需求,确保其能够在各种应用场景下保持稳定且可靠的表现。
  • DDR4 JEDECPDF
    优质
    本PDF文档详尽介绍了DDR4内存的标准规范,依据JEDEC组织制定的技术参数和设计指南,适用于技术开发与研究。 DDR4是双倍数据速率第四代同步动态随机存取内存的简称,由JEDEC固态技术协会制定的一套内存规范标准。该组织发布的官方文档包括JESD79-4B、JESD79-4A和JESD79-4C三个版本,详细阐述了DDR4的技术细节、性能指标以及兼容性要求。 相比前一代的DDR3,DDR4主要改进如下: 1. **更高的频率与带宽**:初始规格为2133 MTs(每秒传输次数),比DDR3的1600 MTs有显著提升,最高可达3200 MTs甚至更高。这提升了系统整体性能,尤其是在处理大量数据时表现更佳。 2. **更低的工作电压**:DDR4的工作电压降至1.2V,相比DDR3的1.5V或1.35V更低,降低了功耗,并有助于节能和散热。 3. **Bank Groups架构**:每个DRAM芯片可以包含多个Bank Group,增强了并发操作能力,提高了内存访问效率。 4. **增加Bank数量**:DDR4内存条的Bank数量从DDR3的8个增至16个,进一步提升了并发处理能力。 5. **On-Die Termination (ODT)**:支持片上终结(On-Die Termination),可以减少信号反射,改善数据传输质量。 6. **命令地址总线的预取位数增加**:DDR4的预取位数从8位增至16位,每个时钟周期可传输更多数据,从而提高内存带宽。 7. **错误校验支持**:DDR4内存支持更高级别的ECC(Error Correction Code)功能,提供更强的数据完整性保护,适合服务器和数据中心应用。 8. **新的引脚定义和物理尺寸**:DDR4内存模块的引脚布局及物理尺寸有所改变,以确保与DDR3互不兼容,避免安装错误。 JESD79-4B、JESD79-4A和JESD79-4C这些文档可能分别代表不同版本或修订的DDR4规范。它们涵盖了技术细节、电气规范、测试方法以及接口定义等内容。对于硬件设计师、系统架构师及内存开发者而言,深入理解这些文档非常重要,有助于设计出符合标准且性能优越的DDR4内存系统。