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关于SOI微电子技术在基础电子学中的介绍

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简介：
本简介将探讨SOI（绝缘体上硅）微电子技术的基本原理及其在基础电子学领域的应用与优势。 SOI（绝缘层上覆硅）技术自出现以来已有30多年的历史，但直到20世纪80年代后期才取得了突破性进展。最初人们认为这项技术可能仅在特殊场合取代SOS（蓝宝石上的硅）技术的应用。然而，随着发现薄膜SOI MOSFET具备出色的可缩放性能，使得该技术在深亚微米VLSI中的应用前景广阔，并具有巨大的潜力。最终，SOI技术和器件的研发取得了显著进展，从最初的激光再结晶实验发展到CMOS/SIMOX SRAM以及硅基SOI的高速低功耗微处理器等主流技术的应用。目前，SOI技术已进入商业化实用阶段，并在不断拓展其应用领域。

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  • 关于SOI微电子技术在基础电子学中的介绍
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    本简介将探讨SOI（绝缘体上硅）微电子技术的基本原理及其在基础电子学领域的应用与优势。 SOI（绝缘层上覆硅）技术自出现以来已有30多年的历史，但直到20世纪80年代后期才取得了突破性进展。最初人们认为这项技术可能仅在特殊场合取代SOS（蓝宝石上的硅）技术的应用。然而，随着发现薄膜SOI MOSFET具备出色的可缩放性能，使得该技术在深亚微米VLSI中的应用前景广阔，并具有巨大的潜力。最终，SOI技术和器件的研发取得了显著进展，从最初的激光再结晶实验发展到CMOS/SIMOX SRAM以及硅基SOI的高速低功耗微处理器等主流技术的应用。目前，SOI技术已进入商业化实用阶段，并在不断拓展其应用领域。
     
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