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IGBT短路测试方法介绍_魏炜_20120521_Rev01.pdf

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简介:
本PDF文档由魏炜于2012年创建,详细介绍了IGBT器件的短路测试方法,为相关技术研究和应用提供了参考。 本段落介绍了IGBT短路测试平台的搭建方法以及相关的参数设置,包括母线电压和驱动电压,并通过这些测试验证了IGBT驱动设计的可靠性。

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  • IGBT__20120521_Rev01.pdf
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    本PDF文档由魏炜于2012年创建,详细介绍了IGBT器件的短路测试方法,为相关技术研究和应用提供了参考。 本段落介绍了IGBT短路测试平台的搭建方法以及相关的参数设置,包括母线电压和驱动电压,并通过这些测试验证了IGBT驱动设计的可靠性。
  • IGBT双脉冲技术简_.pdf
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    本PDF文档详述了IGBT双脉冲测试技术的应用与原理,涵盖器件动态特性评估、参数优化及失效分析等方面内容。 英飞凌的魏炜介绍了IGBT双脉冲测试的方法以及如何搭建测试平台。他详细说明了实施步骤、二极管反向恢复电流及时间大小的影响因素,并对比分析了双脉冲实验和单脉冲实验之间的差异。此外,他还讲解了在双脉冲实验中关键参数的读取与处理方法,并通过这些测试验证IGBT杂散电感、母排设计以及驱动电阻选取的有效性。
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    本文作者魏炜探讨了IGBT(绝缘栅双极型晶体管)在电力电子装置中的应用,并深入介绍了用于提高其性能与可靠性的有源钳位技术。 IGBT有源钳位技术是电力电子领域用于保护绝缘栅双极型晶体管(IGBT)免受过电压损害的关键技术之一。作为高压大功率设备中的重要开关器件,保障其在正常工作与故障状态下的过电压防护至关重要。 该技术的主要目标在于限制IGBT集电极端的电位,并防止关断过程中产生的高尖峰电压对器件造成损伤。尤其当变流器出现过载或桥臂短路时,可能产生极高电压尖峰,导致IGBT受损风险增加。因此,在正常工作状态下有源钳位电路通常保持关闭状态,仅在故障发生时启动。 基本的有源钳位技术利用瞬态抑制二极管(TVS)和快恢复二极管组成简单回路实现保护功能。当集电极端电压过高时,TVS被击穿并允许电流流入IGBT门端,提高其电位以减缓关断过程中的电流上升速率,并降低尖峰电压值。这一机制本质上是一个负反馈环路,通过调节TVS的击穿点来保持稳定。 然而,此技术存在一些局限性:驱动器最后一级推动管在关断瞬间导通会导致大部分电流被旁路;此外,需要使用大功率TVS以应对高功耗问题,这增加了成本和设计难度。为克服这些问题,改进型有源钳位电路应运而生。 一种改进策略是将TVS电流引入驱动器的前级放大增益效果;另一种方法则是增加反馈回路以加快响应速度。尽管这些方案有效提升了性能,但仍然面临如旁路效应和击穿点优化等问题挑战。 CONCEPT公司开发了一种名为“AdvancedActiveClamping”的高级有源钳位技术,并基于SCALE2芯片组实现。该系统通过特殊设计,在TVS被触发时能够精确控制电流流向IGBT门端,从而提供更佳的保护效果。这项创新对于高压大功率电子设备的安全运行至关重要。 综上所述,IGBT有源钳位技术涵盖了电力电子器件防护原理及实际应用电路的设计优化,并对驱动器验证和关断期间的保护措施具有重要意义。其不断的发展与实施不仅体现了电力电子领域的进步,还为相关领域提供了可靠的技术支持。
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    本文章详细解析了IGBT驱动电路的设计,并介绍了三种不同的驱动电路类型及其相应的保护策略和工作原理,同时提供了全面的短路测试方法。适合深入研究电力电子技术的专业人士阅读。 本段落将详细介绍三种IGBT驱动电路以及保护方法,并探讨IGBT的工作原理与工作特性。此外,文章还将介绍IGBT短路测试的方法。
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    本文介绍了PZT压电陶瓷的基本概念、特性和应用,并详细讲解了其性能测试的方法和标准,旨在帮助读者全面了解PZT压电陶瓷。 压电材料是一种功能型材料,在外力作用下能够产生电流,并且在电流的作用下也能生成相应的机械应力或形变。 根据不同的参数可以将压电材料分为几类,这些参数包括但不限于:压电常数、弹性模量(刚度)、介电系数、机电耦合因子等。此外还有电阻值和居里点的考量,以及对其性能的影响如灵敏度、固有频率与动态特性表现;固有电容及工作频率下限;转换效率及其在低频条件下的适应能力。 压电材料主要分为以下几类: 1. 石英晶体:属于单晶结构,由硅酸盐(SiO2)组成。这类材料的d11值为2.31×10^-12C/N,具有稳定的压电系数和固有频率,并能承受700-1000Kg/cm²的压力。 2. 压电陶瓷:是通过人工合成制造而成的多晶体材料。常见的品种包括钛酸钡、PZT(铅锆钛酸盐)、铌酸盐等,它们具有较高的压电系数,例如d33值可达190×10^-11C/N,并且不同种类的产品性能各异。 3. 新型压电材料:这类新材料结合了半导体特性和压电特性于一体。此外还有将传感器集成到芯片上的技术进步以及有机高分子类的新型压电材料,后者以其轻质、柔软和高强度的特点而著称,在机电耦合系数方面表现出色。