
封装中的寄生电感会干扰MOSFET的性能吗?
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简介:
本文探讨了封装中寄生电感对MOSFET性能的影响,分析其产生的原因及可能带来的干扰问题,并提出相应的优化方案。
I. 引言
高效率已成为开关电源(SMPS)设计中的必要要求。为了实现这一目标,许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件,例如降低寄生电容并实现低导通电阻以减少开关损耗和导通损耗。然而,这些快速开关器件容易导致开关瞬态过冲问题,在电路板布局中带来挑战,并且可能导致栅极信号振荡。为了解决这些问题,设计人员通常通过增加缓冲电路来提高栅极电阻值,从而减慢器件的开关速度并抑制过冲现象。但是这种方法会导致相对较高的开关损耗。对于采用标准通孔封装的快速开关器件而言,在效率和易用性之间始终存在权衡问题。
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