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有效调节TiN/TaN双层堆叠厚度的高k/金属栅极nMOSCAP功函数的方法

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简介:
本研究提出了一种针对高介电常数材料与金属栅极结构中的n型金属-氧化物-半导体电容器,通过精细调整TiN/TaN双层堆叠厚度来优化功函数的有效方法。 TiN/TaN双层堆叠厚度的高k/金属栅极nMOSCAP的有效功函数调整方法。

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  • TiN/TaNk/nMOSCAP
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