
单相并网逆变器Plecs仿真模型,H4、HeriC、H6拓扑双环仿真,电压外环PI陷波器抑制二次谐波效果佳,电流内环PR控制电流跟踪性能优
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简介:
本研究开发了单相并网逆变器的Plecs仿真模型,针对H4、HeriC和H6拓扑进行了双环控制策略仿真。电压外环采用PI陷波滤波抑制二次谐波效果显著;电流内环使用PR控制器优化电流跟踪性能。
单相并网逆变器的Plecs仿真模型包括H4、HeriC和H6拓扑结构的双环控制策略。电压外环采用PI陷波控制器以有效抑制二次谐波,电流内环则使用PR调节器实现良好的电流跟踪效果。锁相环(SOGI-PLL)用于同步电网频率,并且可以调整功率因数。此外,该模型还包括电网前馈和LCL滤波器的有源阻尼技术。
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