浸没式光刻机的对焦控制技术探讨

简介：
本文深入探讨了浸没式光刻机中的对焦控制系统及其关键技术，分析了影响对焦精度的因素，并提出优化策略。 随着大规模集成电路芯片制造进入十几纳米技术节点时代，光刻机的对焦控制变得越来越困难，其精度需要达到几十纳米级别。基于实际的光刻机对焦控制系统架构和光刻对焦原理，我们开展了浸没式光刻对焦控制统计分析方法的研究。通过系统结构分析，识别出一系列误差源，并研究了这些误差对于总离焦误差的影响方式及其与总离焦误差的关系。 研究表明，在光刻过程中存在非正态分布的误差贡献项，导致常规使用的3σ原则无法满足99.7%的对焦成功率要求。在28nm、14nm和7nm技术节点集成电路芯片制造中，采用3σ和4σ原则得到的浸没式光刻工艺总对焦成功率之差分别为28.4%、55.1% 和62.9%。 为了达到99.7% 的对焦成功率，在上述技术节点下的浸没式光刻机应使用4σ原则进行控制。