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该文件包含STM32F103C8T6芯片读取和写入内部FLASH的程序。

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简介:
该资源提供了一个用于STM32F103C8T6微控制器读取和写入内部Flash存储器的实用工具。该ZIP文件包含相关的代码和资源,旨在简化开发人员在嵌入式系统中使用此功能的任务。通过使用此工具,开发者可以方便地访问和操作设备内部的Flash内存,从而实现更灵活的程序设计和数据存储。

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    本项目介绍如何通过单总线接口读取与配置DS18B20温度传感器的内置EEPROM,实现自定义报警阈值等高级功能。 标题中的“读写ds18b20内部eeprom”是指操作DS18B20温度传感器的内置EEPROM的过程。DS18B20是一款单线数字温度传感器,广泛应用于各种环境温度测量项目。其内部EEPROM可以存储用户自定义的数据,例如温度校准值或其他配置信息。 在读取DS18B20内部EEPROM时,我们需要遵循以下步骤: 1. **初始化通信**:与DS18B20建立单线通信。这通常通过将传感器的DATA引脚连接到微控制器的一个输入输出引脚,并执行特定的时序来完成。 2. **寻址传感器**:每个DS18B20都有唯一的64位序列号,用于在单总线上区分多个设备。发送“搜索ROM”或“匹配ROM”的命令可以定位具体的DS18B20传感器。 3. **进入编程模式**:访问EEPROM需要将DS18B20置于编程模式中。这可以通过发送特定的写E2(0x4E)或读E2(0xBE)命令来实现。 4. **读取或写入EEPROM**:在编程模式下,可以单独访问每个字节的数据进行读取或者写入操作。对于写入操作需要提供数据和地址信息;而读取则返回指定地址的值。 5. **数据处理**:根据实际需求对从EEPROM中获取到的数据进行相应的处理,例如使用存储在校准表中的温度校正值来修正测量结果以提高准确性。 6. **串口打印**:程序可能还会通过串行通信接口(如UART)将读取的EEPROM内容发送给调试设备或终端显示出来以便于观察和分析这些数据。 7. **错误处理**:在执行读写操作时,需要考虑可能出现的各种问题,并设计适当的机制来检测并解决这些问题,比如通讯失败、超时或者CRC校验出错等情形。 压缩包中的“能读THTL”文件可能是包含实现上述步骤的具体代码或文档。其中的THTL可能代表温度和湿度或其他相关参数的数据类型缩写,具体含义需要查看该文件内容才能确定。 总结来说,DS18B20内部EEPROM的操作包括传感器初始化、寻址、进入编程模式以及数据传输等环节,并且要确保有相应的错误处理机制。通过这些步骤可以定制化地调整和优化温度测量的精度或存储特定场景下的环境信息。
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    本教程详解如何在STM32微控制器上进行内部FLASH存储器的读取与写入操作,涵盖配置步骤及代码示例。适合嵌入式开发人员参考学习。 ### STM32内部FLASH详解 #### 一、概述 STM32是一款广泛应用的微控制器,以其高性能、低功耗及丰富的外围设备而受到青睐。在众多STM32系列中,STM32F103(俗称“蓝胖”)更是因其良好的性价比而成为开发者的首选。其中,内部FLASH作为STM32的重要组成部分之一,对于存储代码和数据至关重要。 #### 二、内部FLASH的作用 内部FLASH主要负责存储用户编写的程序代码,并通过下载器将编译后的代码烧录到内部FLASH中。当STM32上电或复位时,可以从内部FLASH加载并执行代码。此外,内部FLASH还支持运行时的读写操作,可用于存储掉电后需要保留的关键数据。 #### 三、内部FLASH的结构 STM32的内部FLASH由以下三个部分组成: 1. **主存储器**:这是最主要的存储区域,用于存放用户程序代码。根据不同的STM32型号,主存储器的容量也会有所不同。例如,STM32F103ZET6(大容量hd版本)拥有512KB的FLASH,分为256个页,每个页大小为2KB。在写入数据之前,需要先进行擦除操作,这一特性与常见的外部SPI-FLASH类似。 2. **系统存储区**:这部分位于地址范围0x1FFFF000至0x1FFFF7FF之间,共2KB,主要用于存储固化的启动代码,负责实现诸如串口、USB以及CAN等ISP(In-System Programming)烧录功能。这部分内容用户通常无法访问和修改。 3. **选项字节区域**:这部分位于地址范围0x1FFFF800至0x1FFFF80F之间,共有16字节。主要用于配置FLASH的读写保护、待机停机复位、软件硬件看门狗等相关设置。 #### 四、内部FLASH的管理 内部FLASH的管理涉及以下几个方面: - **页擦除**:在向内部FLASH写入新数据之前,必须先执行擦除操作。擦除操作是以页为单位进行的,这意味着如果需要修改某个位置的数据,则必须擦除整个页,并重新写入数据。 - **数据写入**:数据写入也需按照页进行。需要注意的是,一旦数据写入,除非执行擦除操作,否则无法修改该页中的数据。 - **数据读取**:读取操作则不受上述限制,可以直接访问任意地址的数据。 #### 五、读写内部FLASH的应用场景 1. **存储关键数据**:由于内部FLASH的访问速度远高于外部SPI-FLASH,在紧急状态下存储关键记录是非常实用的选择。 2. **加密与安全**:为了保护应用程序不被盗版或破解,可以在第一次运行时计算加密信息并记录到内部FLASH的特定区域,之后删除部分加密代码,以此来增强程序的安全性。 3. **配置存储**:可以将一些经常需要读取但很少更改的配置信息存储在内部FLASH中,以减少对外部存储器的依赖,并提高系统响应速度。 #### 六、注意事项 - 在进行内部FLASH操作时,务必确保遵循正确的操作流程,避免误操作导致的数据丢失。 - 对于不同型号的STM32,其内部FLASH的具体配置(如页大小、总容量等)可能有所差异,在具体操作前应仔细查阅相应的规格书或参考手册。 STM32内部FLASH不仅承担着存储程序代码的任务,还能在运行时提供灵活的数据存储解决方案,是STM32强大功能不可或缺的一部分。