
有关MOS器件的dummy问题探讨
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简介:
本文针对MOS器件设计中的dummy问题进行深入探讨,分析其在版图布局中的作用及优化策略,旨在提高集成电路制造质量和效率。
最近遇到了关于CMOS的dummy问题,希望各位能提供一些意见。我认为dummy MOS必须与被保护的MOS管的方向一致,即源极(S)到漏极(D)方向以及栅极方向都相同。这就需要设计者明确规定dummy MOS的尺寸:如果沿长度L考虑,则L(MOS)=L(dummy),宽度W可以不同;其中dummy MOS的W可取设计规则中的最小值。反之亦然,若按宽度W来保护,则应使W(MOS)=W(dummy), L不等,此时dummy MOS 的L同样可以采用设计规则中规定的最小尺寸。
我的想法还不太成熟,所以希望各位能批评指正,并分享你们的经验和见解。
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