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实验一:MOSFET特性和驱动电路的研究1

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简介:
本实验旨在研究金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作特性及其驱动电路的设计与优化,通过测试不同条件下的电气参数变化,深入理解其工作原理和应用特点。 2.掌握MOSFET缓冲电路的工作原理与参数设计要求 3.掌握MOSFET对驱动电路的要求 4.熟悉MOSFET主要参数的测量方法 5.绘出电阻负载与电阻、电感的图形表示

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客服
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  • MOSFET1
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    本实验旨在研究金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作特性及其驱动电路的设计与优化,通过测试不同条件下的电气参数变化,深入理解其工作原理和应用特点。 2.掌握MOSFET缓冲电路的工作原理与参数设计要求 3.掌握MOSFET对驱动电路的要求 4.熟悉MOSFET主要参数的测量方法 5.绘出电阻负载与电阻、电感的图形表示
  • SiC MOSFET其专用
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    本文探讨了SiC MOSFET管的独特特性及其在电力电子设备中的应用,并介绍了为其设计的高效专用驱动电源。 本段落简要比较了SiC MOSFET管与Si IGBT管的部分电气性能参数,并分析了这些参数对电路设计的影响。根据SiC MOSFET管的开关特性和适用于高压高频应用环境的特点,推荐使用金升阳公司的SIC驱动电源模块以简化隔离驱动电路的设计。
  • 力晶体管GTR.doc
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    本实验旨在通过测试和分析电力晶体管(GTR)的工作特性,包括其伏安特性、开关速度及损耗等参数,深入理解GTR在不同条件下的行为表现。 本实验主要探讨电力晶体管(GTR)的特性,尤其是其开关特性和二极管反向恢复特性。作为一种功率半导体器件,GTR在电机驱动及电源转换系统中广泛应用。通过采用不同的测试方法与电路配置,深入理解GTR的工作原理。 该研究旨在达成以下目标: 1. 熟悉掌握GTR的开关特性和二极管反向恢复特性及相关测试技术。 2. 学习并了解缓冲电路在GTR中的工作原理及其参数设计要求。 实验线路如图所示(此处指代原文中提及的图4-18),主要包括以下几方面的内容: 1. 在不同负载条件下,测试GTR开关特性的变化。通过调整电阻和电感性负载观察其开通与关闭过程中的电流及电压波动。 2. 分析基极驱动电流对开关特性的影响,并记录这些参数如开通时间、存储时间和下降时间的变化。 3. 对比有无基压时的开关性能,理解反向基极偏置如何影响GTR的工作表现。 4. 研究并联缓冲电路的效果。通过调整电阻和电容值来探究其对电压冲击抑制的影响。 实验所需设备包括现代运动控制技术实验台、PWM波形发生器、双踪示波器以及数字万用表等,用于提供必要的电源支持、信号生成与测量等功能。 在进行测试时,使用示波器观察基极驱动信号和集电极电流变化情况来评估GTR的开关性能。思考题则包括如何选择合适的并联缓冲电阻及电容值,并设计更有效的测试方法以同时监测到基极电流与集电极电流的变化。 值得注意的是,在实验过程中,由于基极电流与集电极电流没有共同节点,直接使用双踪示波器进行同步测量存在困难。因此通常通过监控基压来间接推断基流变化情况。然而这种方法可能无法精确反映实际的电流波动。设计更有效的测试方法或需采用专门的电流探头等设备。 本实验旨在使学生通过对GTR的实际操作和数据分析,深入理解其工作机理,并掌握关键参数测量技巧以及如何设计缓冲电路以优化开关性能。这不仅有助于巩固理论知识基础,也为实际工程应用提供了坚实的支持。
  • 感式位移传感器1
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    本实验旨在探究电感式位移传感器的工作原理及其性能特点,通过实际操作了解该传感器在测量中的应用和优势。 1. 了解电感位移传感器的工作原理。 2. 测量自感式传感器的特性。 3. 测量差动变压器式传感器的特性。
  • 4单级共射共集放大能与1
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    本文通过实验深入探讨了单级共射和共集放大电路的工作原理及其性能特征,分析了不同条件下的放大效果,为电子线路设计提供了理论依据和技术支持。 《单级共射、共集放大电路性能与研究实验》旨在帮助学生深入理解共射极放大器和共集极放大器的工作原理及特性,并掌握相应的操作技巧。该实验涵盖了交流通路与直流通路的识别,静态工作点设置,以及放大倍数、输入电阻和输出电阻的测量方法等内容。此外,还探讨了负反馈对电路性能的影响。 1. **交流通路与直流通路的区别**: 交流通路由电容和电感构成信号路径,忽略其直流特性;而直流通路则关注电源提供的电流路径,在此情况下将电容视为开路、电感视为短路。理解这两种情况对于分析放大器的静态工作点及动态行为至关重要。 2. **设定静态工作点**: 静态工作点Q表示三极管在无信号输入时的状态,由集电极-发射极电压(UCEQ)和集电极电流(ICQ)定义。通过调整偏置电阻来改变这一状态,确保放大器处于线性区操作范围内。 3. **共射放大器的测量方法**: - 放大倍数(Au):计算输入与输出信号之间的电压增益。 - 输入阻抗(Ri):衡量从电路中看到的负载效应大小。 - 输出阻抗(Ro):评估作为电源时的表现。 4. **共集放大器的特点及应用**: 共集极配置也被称为跟随器,具有高输出电阻、低输入电阻和接近1倍的电压增益。它通常用于驱动其他电路或提供信号缓冲作用。 5. **负反馈对性能的影响**: 负反馈技术能够改善工作点稳定性,提高放大倍数的一致性,并降低输入与输出阻抗水平,从而优化线性和频率响应特性。 实验中学生将利用双踪示波器、万用表及信号源等设备进行实际操作。通过搭建电路并测量参数值来对比理论仿真结果,以增强对相关知识的理解和掌握能力。此外,还涉及了负反馈电路性能的比较分析,强调其在改善放大器表现方面的关键作用。 综上所述,《单级共射、共集放大电路性能与研究实验》不仅为学生提供了实践操作的机会,而且帮助他们理解并掌握了这两种基本配置的特点及调试技巧,为进一步学习电子线路设计奠定了坚实的基础。
  • UC3843 MOSFET集成
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    简介:UC3843是一款高性能脉冲宽度调制(PWM)控制器芯片,专为电源转换应用设计,具备高增益误差放大器、精密比较器和欠压锁定功能。适用于开关电源中的MOSFET驱动电路。 UC3843 是一款固定频率电流模式控制器芯片,主要用于开关电源及直流至直流变换器的设计之中。这款芯片具备可微调的振荡功能、精确占空比控制能力、温度补偿参考电压以及高增益误差放大器等特性,并且还包含用于驱动功率 MOSFET 的大电流图腾柱式输出。 UC3843 具有的主要特点包括: 1. 可调节的放电电流,有助于精准地调整振荡频率和占空比。 2. 支持高达500KHZ的工作频率,并具备自动前馈补偿、逐周限流等高级功能特性。 3. 内置稳定参考电压源以及欠压锁定机制,确保电路在低电源条件下仍能可靠工作;同时提供大电流图腾柱式输出以驱动功率MOSFET器件。 4. 低启动和运行时的功耗,并且能够直接与安森美半导体公司的SENSEFET产品进行接口连接。 该芯片引脚的功能包括: 1. 补偿:此管脚为误差放大器输出,可用于环路补偿; 2. 反相电压反馈输入端口通常通过电阻分压网络链接至电源转换电路的输出端。 3. 电流采样比较器输入端用于接收与电感电流成正比的信号,并据此调节功率开关器件的工作状态; 4. RT/CT:该引脚允许用户通过连接外部RT和CT元件来调整振荡频率及最大占空比设定值; 5. 地(GND)为控制电路提供公共接地参考点。 6. 输出端口直接驱动MOSFET的栅极,能够输出高达1A峰值电流; 7. 正电源输入引脚用于向IC供电; 8-9.Vref 和电源地:分别是内部基准电压源和外部组件返回路径; 10. VC(仅适用于特定封装类型)允许设置高电平输出状态。 UC3843 可应用于例如显示器开关电源电路等场合。与之相关的另一款控制器IC——UC3842,在启动及关闭阈值方面存在差异:前者分别为 16V 和 10V,而后者则为 8.5V和7.6V。因此这两者不能互相替代。 在进行维修工作时需注意如何判断 UC3843 是否正常运作: - 若更换完周边损坏元件后未安装开关管(MOSFET),加电测量UC3843 的第7脚电压,如果该值在10至17V范围内波动,并且其它各引脚也有相应变化,则表明电路已开始振荡并且 UC3843 处于良好状态; - 当向UC3843的 7、5 脚之间施加约+17V直流电压时,如果第8脚出现 +5V 输出,并且其它几个引脚也有不同水平的读数,则表明该器件基本正常工作并具有较小的工作电流。然而需要注意的是,在电源开关管短路情况下导致高电压从栅极输入到UC3843 的6 脚而可能造成其损坏的情况。
  • MOSFET栅极PDF
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    本PDF文档深入探讨了MOSFET栅极驱动电路的设计与应用,涵盖原理分析、优化策略及实际案例,适用于电子工程专业人员和技术爱好者。 本段落档介绍了TOSHIBA功率MOSFET的栅极驱动电路。文档创建日期为2017年8月21日。
  • MOSFET设计探讨
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    本文深入分析了MOSFET驱动电路的设计要点与挑战,讨论了优化驱动性能、减少电磁干扰和提高系统效率的关键技术。 我之前撰写过一篇关于MOS管寄生参数影响及其驱动电路要点的文章,但由于时间紧迫,文章中存在不少错误。最近我花费了一些时间进行修订和完善,并整理了一部分内容希望各位能够审阅。 PS:我自己写的文章似乎缺乏美感,充斥着1、2、3、4这样的序号;不过目前还没有想好是否有更好的层次分明的叙事方式来替代这些序号。整篇文章前后有超过300页加上附录的内容全是使用了这种编号形式,希望读者们不要觉得过于混乱或难以阅读。