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基于波导技术，Ku频段内设计了一种八路宽带功分器。

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简介：
本文成功研发出一种能够覆盖整个Ku频段（12-18GHz）的八路宽带功率合成网络。该网络在Ku频段输入端表现出优异的回波损耗性能，具体而言，其回波损耗值小于-10dB。此外，合成效率也达到了83%以上，这表明该设计在多路功率合成网络的设计方面具备了重要的借鉴意义和参考价值。

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  • 基于波导的Ku频段八分支宽带功率分配器设计
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  • 2012年的Ku波段微带带通滤波器新设计
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    本文详细探讨了Ku波段高频头电路设计的关键要素与技术细节，深入解析其工作原理和优化方案。 ku波段高频头电路的设计过程被详细介绍了，具有很高的参考价值。
     
  • Ku波段Wilkinson功分器的设计与仿真(2014年)
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  • 基于GaN的S波段宽带放大器设计
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    本研究专注于开发一种应用于S频段通信系统的高性能、宽带GaN放大器。通过优化电路结构和材料特性，实现了高效率与宽工作带宽的结合，为无线通信技术的进步提供了新的解决方案。 摘要：氮化镓功率管因其宽带隙、高击穿电场等特点，在带宽与效率方面表现出色。为了探究GaN 功率放大器的特性，本研究利用Agilent ADS 等仿真软件进行了电路设计，并成功开发出一款S 波段宽带GaN 功率放大器。详细介绍了电路仿真的过程，并对所设计的宽带放大器进行测试，结果显示该放大器在S 波段内可实现超过44 dBm 的功率输出，证明了其具有宽带工作的能力。 新一代半导体功率器件主要包括SiC 场效应晶体管和GaN 高电子迁移率晶体管。与传统的硅双极型功率晶体管及第二代GaAs 场效晶体管相比，这些新型材料的器件具备显著优势。
     
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