CMOS反相器的工作区划分及传输特性

简介：
本文章详细探讨了CMOS反相器的工作区域分类及其传输特性，分析不同工作状态下电压电流关系和电路性能。适合电子工程专业学习参考。 CMOS反相器电路的直流传输特性曲线可以分为五个电性区域： 1. **Ⅰ区**：N管截止而P管非饱和导通。输入电压条件为0≤Vi≤VTN，输出特征是VO=VDD，即输出电压恒定且不随输入变化。 2. **Ⅱ区**：N管饱和导通而P管非饱和导通。输入电压范围为VTN≤Vi≤VO+VTP，在该区域中，随着输入电压的增加，输出电压减小，并且这种下降的趋势会变得越来越快。 3. **Ⅲ区**：N管和P管均处于饱和导通状态。对应的输入电压条件是VO+VTP≤Vi≤VO+VTN。在这个区域内，输出电压会发生急剧的变化，即随着输入电压的轻微增加，输出电压将迅速下降。 4. **Ⅳ区**：N管非饱和导通而P管饱和导通。该区域的具体描述未在给定信息中完全列出。 以上是CMOS反相器电路直流传输特性曲线各电性区域的主要特征和输入条件的概述。