PSG和BPSG薄膜—集成电路制造技术中的化学气相沉积原理与工艺（第七章）

简介：
本章节探讨了在集成电路制造中用于形成PSG（磷硅玻璃）和BPSG（硼磷硅玻璃）薄膜的化学气相沉积(CVD)技术，详细解析其工作原理及优化工艺。 在制备SiO2薄膜的过程中加入PH3可以生成含有P2O5的磷硅玻璃（PSG）。该反应方程式为：4PH3(g) + 5O2(g) → P2O5(s) + 6H2(g) 特点包括： - 应力较小，阶梯覆盖性能良好； - 可以吸附碱性离子； - 在高温下具有流动性。 需要注意的是，在高P含量的情况下，PSG会表现出吸潮特性。因此在实际应用中通常将磷的浓度控制在6~8wt%范围内。向SiO2淀积源中添加硼酸三甲酯（TMB）可以实现掺杂硼的效果；而加入磷酸三甲酯（TMP），则可使薄膜含有磷元素。 这种掺磷或掺硼的方式主要是为了通过回流作用降低芯片表面的台阶，从而达到平整化的目的。