LDO芯片设计报告和电路分析报告。

简介：
本论文详细阐述了一种应用于集成在射频芯片中的LDO的分析与设计方法。本文主要针对稳定性、负载瞬态响应、电源抑制比以及噪声这四个关键指标进行了深入探讨。随后，利用SMIC 0.18μm CMOS工艺，完成了包括功率调整管、电阻反馈网络和误差放大器三个组成部分的电路设计工作。并通过Cadence Spectre对整个设计的电路进行了精密的仿真和优化，最终成功地满足了电路的设计目标，并且实现了其在片内集成的可能性。该电路能够在0.1毫安至300毫安的负载电流范围内保持稳定的运行状态。在正常工作条件下，电路的温度范围限定为-55摄氏度至125摄氏度，其工作电压范围则限定在2.1伏特至3.6伏特之间，输出电压设定为1.8伏特。在全电压范围内的输出电压波动控制在≤4毫伏之内，而准精度则控制在≤10毫伏之内。此外，最小压差维持在300毫伏以下，静态电流限制在≤60微安水平。在10赫兹至10万赫兹的内部输出噪声积分约为≤20微伏根平均平方（RMS）@20毫安、≤50微伏根平均平方（RMS）@80毫安以及≤100微伏根平均平方（RMS）@300毫安。电源抑制比（PSRR），即在10千赫兹频率以下的抑制能力，达到了≥60分贝@20毫安、≥60分贝@80毫安和≥60分贝@300毫安的优异水平。线性调整率控制在≤ 0.1%以内；负载调整率也严格控制在≤ 1%以内；启动时间被限制在≤ 10微秒之内；电压瞬态响应速度不超过≤ 30微秒；负载瞬态响应速度不超过 ≤ 50微秒；输出启动电压过冲被严格控制在 ≤ 100毫伏之内。此外，该设计还集成了输入欠压过压保护机制以及输出断路保护功能，同时还具备过温保护和输入软启动电路等完善的安全措施。