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基于18_mCMOS工艺的新型ESD保护电路设计

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简介:
本研究专注于采用18m CMOS技术开发创新静电放电(ESD)防护电路,旨在提升集成电路抵御ESD损害的能力,确保电子设备的安全与可靠性。 0_18_mCMOS工艺下的新型ESD保护电路设计

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  • 18_mCMOSESD
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    本研究专注于采用18m CMOS技术开发创新静电放电(ESD)防护电路,旨在提升集成电路抵御ESD损害的能力,确保电子设备的安全与可靠性。 0_18_mCMOS工艺下的新型ESD保护电路设计
  • ESD
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    本设计探讨了ESD(静电放电)防护电路的开发与应用,旨在有效减少电子设备因静电损害造成的故障。通过优化电路结构和材料选择,提高产品的耐用性和可靠性。 静电放电(ESD)是电子设备中的常见问题之一,可能导致电路故障甚至彻底损坏电子器件。在设计电子电路的过程中,工程师需要考虑适当的ESD保护措施以确保其正常运行并延长使用寿命。 了解ESD的产生及其潜在危害至关重要。当两个物体碰撞或分离时会产生静电放电现象,即一种静态电荷从一个物件转移到另一个物件上,类似于小型闪电的情况。这种放电量受环境因素和物体类型的影响而变化,在发生ESD事件时,由于瞬间电流回路电阻极小,可能会产生高达几十安培的尖峰电流,并可能对集成电路(IC)造成严重损坏。这些损害包括内部金属连接断开、钝化层破坏及晶体管单元烧毁等现象;特别是对于高电压激活的CMOS器件来说,ESD冲击可能导致死锁LATCHUP状态,在这种情况下电流从VCC到地形成闭合回路,并可能达到1安培之巨。一旦发生这种情况通常需要断电来停止电流流动,此时IC往往因过热而损坏。 根据其来源的不同,静电放电可以分为三大类:由机器或家具移动引发的ESD、设备操作过程中产生的ESD以及人体接触引起的ESD。其中第三种类型特别容易损害便携式电子产品;即使一次性的冲击也未必立即导致器件失效,但会逐渐降低性能并可能导致产品过早出现故障。 设计有效的静电放电保护电路时可以采取多种策略:通过使用绝缘介质将内部电路与外界隔离开来实现物理隔离。例如1毫米厚的PVC、聚酯或ABS塑料材料能提供高达8KV的ESD防护,然而实际应用中需注意材料接缝处和蠕变的影响;屏蔽方法利用金属外壳保护内部组件不受外部影响,但初期冲击阶段可能造成较高的电压差导致二次放电风险。因此需要确保电路与屏蔽层共地或采用介质隔离措施。 电气隔离同样是一种有效的抑制ESD的方法,在PCB板上安装光耦合器和变压器虽不能完全消除静电干扰,但是结合上述两种方法能够有效降低其影响;信号线路上还可以添加阻容元件以限制瞬态电压峰值。尽管这种方法成本较低且易于实施,但防护效果有限。 另外值得注意的是RS-232接口电路中ESD冲击可能导致的交叉串扰以及对电源反向驱动的风险,这可能超出规定的最大范围从而损坏相关器件和系统组件。 综上所述,在设计静电放电保护电路时必须充分考虑各种潜在来源及其危害,并采取适当的隔离与屏蔽措施减少其破坏性影响。同时还需要注意ESD防护机制本身带来的问题如RS-232接口的交叉串扰及反向驱动风险,以及在信号通路中使用光耦合器和变压器等器件的应用限制。 通过综合考虑这些因素并应用上述技术手段可以设计出既符合EN61000-4-2欧洲共同体工业标准又能确保产品顺利进入欧洲市场的ESD保护电路。
  • CMOSESD结构原理和要求
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    本文章介绍了CMOS电路静电放电(ESD)保护的设计原则与技术需求,深入探讨了如何有效提高集成电路抗静电能力的方法。 静电放电(ESD)是CMOS电路中最严重的失效机理之一,严重情况下会导致电路自我烧毁。本段落讨论了CMOS集成电路中实施ESD保护的必要性,并研究了在CMOS电路中的ESD保护结构设计原理。文章还分析了该结构对版图的相关要求,并重点探讨了I/O电路中ESD保护结构的设计需求。
  • CMOSESD结构原理和要求
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    本研究聚焦于CMOS电路静电放电(ESD)保护技术,探讨其设计理念、实现方法及性能需求,旨在提高集成电路抗ESD损害的能力。 静电放电(ESD)是CMOS电路中最严重的失效机理之一,可能导致电路自我烧毁。本段落论述了在CMOS集成电路中进行ESD保护的必要性,并研究了其设计原理以及版图的相关要求,尤其着重讨论了I/O电路中的ESD保护结构的设计需求。 静电放电对电子器件具有破坏性的后果,是导致集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺的进步,CMOS电路特征尺寸不断缩小,栅氧层厚度越来越薄,芯片面积规模越来越大。同时,MOS管能承受的电流和电压也逐渐减小。然而,在外围使用环境未发生改变的情况下,需要进一步优化电路以提高其抗ESD性能,并尽量减少全芯片的有效面积。
  • 截止过流
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    本项目致力于开发一种新型过流保护电路,采用截止机制以提升电子设备的安全性能,有效防止电流过大导致的损害。 本段落介绍了几种过流保护电路,并对其进行了比较分析。其中重点介绍了一种利用取样电阻、电压比较器及MOS管设计的截止型过流保护电路的工作原理。
  • GCNMOS结构IO引脚ESD研究.pdf
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    本文探讨了针对集成芯片输入输出端口静电放电(ESD)防护需求,设计并优化了一种基于GaN CMOS工艺的新型ESD保护电路。 本段落介绍了IO引脚与地之间ESD保护电路的重要性,并提出了一种应用于该场景的结构——GCNMOS(栅极耦合NMOS)。文中详细分析了GCNMOS的工作原理及其在泄放静电电荷方面的应用。
  • RS485.docx
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    本文档详细介绍了典型的RS485通信接口保护电路的设计方法与实践应用,内容涵盖电气隔离、防雷击和静电防护等多个方面。 本段落使用了陶瓷气体放电管(GDT)、温度保险丝(PTC)、瞬态抑制二极管(TVS)以及上下拉电阻,并给出了详细的型号参数。 1. 前端采用通流量大的 GDT,用于泄放大电流。 2. 中间部分采用了 PTC 作为退耦元件。 3. 后端则使用了反应时间快且残压低的 TVS。 4. A/B 线需要拉上下拉电阻,以确保总线空闲时,A/B 差分信号处于确定状态,从而避免杂讯的影响。
  • 矿用本质安全
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    本项目专注于研发适用于煤矿等危险环境下的高效、可靠且低能耗的本质安全型电源保护电路,旨在提升设备的安全性能及稳定性。 本段落基于对传统矿用本安电源保护电路优缺点的分析,提出了一种采用LM339比较器和MAX4080SASA电流检测芯片的新设计方案,并详细探讨了该方案的工作原理及特点,为高质量的矿用本安电源设计提供了新的思路。
  • 0.18um CMOS文档合集:涵盖温度及过压欠压等五项核心功能方案
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    本设计文档合集详述了采用0.18微米CMOS工艺,实现包括温度、过压与欠压在内的五大关键防护机制的创新电路设计方案。 基于CMOS 0.18um工艺的保护电路工程文件与文档合集:实现温度保护、过压欠压保护等多种功能模块的设计方案及详细资料(包括PDK参数设计,版图设计参考以及相关文献)。该套件中的保护电路能够提供全面的安全保障,涵盖温度监控、电压调节范围控制、软启动机制和过流防护等关键特性。 工程文件内容: - 电路设计方案:包含详细的结构布局与工作原理说明。 - 子模块功能介绍及仿真结果 - 参数设计推导过程以及版图设计参考指南 文档包括但不限于以下部分: 1. 整体保护电路的设计思路,涵盖架构选择和其背后的理论依据; 2. 各个子系统(如温度监控单元、电压调节器等)的功能描述及其仿真实验报告; 3. 关键参数的推导过程及版图设计参考信息; 4. 相关技术文献列表。 此外,还提供了接带隙基准和LDO电路的设计指导。该套件旨在为用户提供一套全面且实用的保护解决方案,在确保系统安全性的前提下实现高效能操作。
  • TL494过流
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    本设计探讨了利用TL494芯片构建高效电路过流保护机制的方法,旨在提高电子设备的安全性和稳定性。通过精确控制电流阈值,有效避免过载风险。 今天我们将通过波形测试结果来探讨TL494在德州仪器电源中的特点及其过流保护的实现机制。