
低功耗CMOS低噪放大器设计
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简介:
本研究专注于低功耗CMOS低噪声放大器的设计,致力于在保持高性能的同时大幅降低能耗。通过优化电路结构与参数选择,实现高增益、宽频带及低噪声指数的目标,在无线通信领域具有重要应用价值。
针对低功耗电路设计要求,在SMIC 0.18 μm CMOS工艺基础上,我们设计了一种电流复用的两级共源低噪声放大器。仿真结果显示,当工作频率为2.4 GHz时,该放大器具有26.26 dB的功率增益、-27.14 dB的输入回波损耗(S11)、-16.54 dB的输出回波损耗(S22)和-40.91 dB的反向隔离度。此外,其噪声系数为1.52 dB,在供电电压为1.5 V的情况下,静态功耗仅为8.6 mW,并且电路运行稳定可靠。
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